化学气相淀积

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化学气相淀积

: 集成电路制造技术——原理与工艺---第七章化学气相淀积 集成电路制造技术——原理与工艺---第七章化学气相淀积 7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜的淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜
评级：0 浏览量：374 收藏量：0 资源大小：1.63MB 上传时间：2020-08-24

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: 化学气相淀积金刚石提高激光二极管性能 化学气相淀积金刚石提高激光二极管性能
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: AIXTRON化学气相淀积系统工程公司简介 AIXTRON化学气相淀积系统工程公司简介
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: 满足65纳米以下工艺的新型物理气相淀积源摘要：一种基于高功率密度概念的新型PVD溅射源大大地增加了金属离子所占的... 由于PVD具有很好的灵活性和高性价比，它仍是当今集成电路工业中金属淀积的一种候选方法。当每个技术节点中的特征长度变得越来越小的时候
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：108KB 上传时间：2020-12-09

: 激光化学气相淀积铁薄膜用氯化氙准分子激光分解Fe(CO)5在石英片上沉积铁薄膜.研究了激光能量密度、淀积时间对膜层特性的影响,获得最大淀积速率1.7nm/脉冲
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: 波导SOl化学气相沉积工艺特点对于SOl波导来说，CVD技术一般用来淀积其上包层，通常为二氧化硅或氮化硅。　对于调制器等有源器件来说，这一层还起着隔离金属电极减小电极对波导造成损耗的作用，所以厚度一定要选择合适，不能太薄，如果薄了就不...
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: 化学气相沉积技术在工模具中的应用.pdf 化学气相沉积技术在工模具中的应用.pdf
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评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：36KB 上传时间：2020-11-13

: ECR plasma CVD法淀积980 nm大功率半导体激光器端面光学膜技术介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECR plasma CVD)法淀积980 nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性。
评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：1.05MB 上传时间：2021-02-11

: CVD 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition) 是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程 CVD技术特点：具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单...
评级：0 浏览量：351 收藏量：1 资源大小：92KB 上传时间：2020-12-09

: Si 用化学气相淀积方法, 在Si (100) 衬底上生长Si1-xGex∶C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜, 用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量, 着重研究了Si1-xGex...
评级：0 浏览量：97 收藏量：0 资源大小：829KB 上传时间：2021-02-10

: 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性在经NH3等离子体氮化的Si(100)衬底上,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层,经X射线衍射(XRD)测量,得到了单一取向的ZnO(0002)膜.在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法生长...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：163KB 上传时间：2021-02-11

: AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。...
评级：0 浏览量：138 收藏量：0 资源大小：1.09MB 上传时间：2021-02-10

: 6H-SiC同质外延层上Si 用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了表征测量, 着重研究了生长得到的Si1-yCy...
评级：0 浏览量：108 收藏量：0 资源大小：726KB 上传时间：2021-02-10

: SEED智能像素器件的物理基础随着分子束外延（MBE）和金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术的成熟与发展，可以在半导体衬底上均匀生长原子量级的超薄层田，通过两种半导体材料的交替生长，形成一系列周期性的势垒和势阱，这就是所谓的超晶格...
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：89KB 上传时间：2021-01-19

: 低阈值高效率InAlGaAs量子阱808 nm激光器首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长。通过优化外延生长条件,保证了5.08 cm片内的量子阱(QW)光致发光(PL)光谱峰值波长均匀性达0.1%。对于条宽为50 μm,腔长为750 μm的...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：422KB 上传时间：2021-02-11

: 显示/光电技术中的SEED智能像素器件的物理基础随着分子束外延（MBE）和金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术的成熟与发展，可以在半导体衬底上均匀生长原子量级的超薄层田，通过两种半导体材料的交替生长，形成一系列周期性的势垒和势阱，这就是所谓的超晶格...
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: 采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器 Khan等人[25]在1992年报道了支高质量GaN材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长而成。光响应波长为200～365 nm，在365nm处增益达6×103。在5 V的偏压下响应度可达2000 A/W。...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：61KB 上传时间：2021-01-19

: 采用半导体量子阱薄膜实现Nd∶YAG激光器被动锁模采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法在InP衬底上低温生长6个周期的InGaAsP多量子阱薄膜, 薄膜对1.06 μm激光的小信号透过率为23%。该薄膜兼作Nd∶YAG激光器的可饱和吸收体及耦合输出镜, 实现1.064 μm激光的被动锁模...
评级：0 浏览量：349 收藏量：0 资源大小：987KB 上传时间：2021-01-26

: 基础电子中的MOCVD的应用范围金属有机化学气相沉积系统（MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积（CVD)工艺，其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物，或是...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：59KB 上传时间：2020-11-18

: 显示/光电技术中的采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器 Khan等人[25]在1992年报道了第一支高质量GaN材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长而成。光响应波长为200～365 nm，在365nm处最高增益达6×103。在5 V的偏压下响应度最高可...
评级：0 浏览量：139 收藏量：0 资源大小：57KB 上传时间：2020-11-14

: PECVD法制备硅基类金刚石薄膜的摩擦学性能 PECVD法制备硅基类金刚石薄膜的摩擦学性能，王学东，王鹏，以N (100) 型的单晶硅片为基体，运用等离子体化学气相淀积台在单晶硅片衬底上沉积了类金刚石薄膜。用纳米压痕仪测定了薄膜的硬度，�
评级：0 浏览量：111 收藏量：0 资源大小：621KB 上传时间：2020-01-08

: 微波功率器件材料的发展和应用前景进入20世纪90年代后，由于MOCVD(金属有机化学气相淀积)和MBE(分子束外延)技术的发展，以及化合物材料和异质结工艺的日趋成熟，三端微波器件取得令人瞩目的成就，使得MESFET(肖特基势垒场效应晶体管)、
评级：0 浏览量：124 收藏量：0 资源大小：157KB 上传时间：2020-12-10

: 等离子体表面氮掺杂对非晶碳膜场发射特性的影响+ (2006年) 利用常规等离子体化学气相淀积技术制备了氢化非晶碳薄膜材料，在原位利用氮等离子体对碳膜表面进行N型掺杂．通过不同手段研究了氮表面掺杂前后非晶碳膜的微结构和化学键的变化，对表面掺杂前后的薄膜的场电子特性的...
评级：0 浏览量：29 收藏量：0 资源大小：261KB 上传时间：2021-05-11

: 用于固态电子学的激光微观光化学依照有活性的光致碎裂片是与固体作用或者被固体吸附，微观腐蚀或微观淀积分别得以出现。固体的表面性质和气相动力学都对这一过程的定域起一份作用。烷基金属和甲基卤化物已经被用作母体分子以分别产生淀积和腐蚀。...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：501KB 上传时间：2021-02-08

: MOCVD技术在光电薄膜中的应用导读: MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，MOCVD仍是一种...而金属有机物化学气相淀积(MOCVD)，1968年由美国洛克威公司的Manasevit等人提出制备化台物单晶薄膜的一项新技术；到8
评级：0 浏览量：95 收藏量：0 资源大小：94KB 上传时间：2021-01-19

: 电容式硅微机械麦克风的结构与动态特性 (2009年) 复合敏感膜采用低压化学气相淀积工艺制作,包含一层浓硼掺杂的多晶硅和两层氮化硅。底板采用电镀铜技术制作,底板上蜂窝状分布了许多圆形通气孔来调节敏感膜与底板间的空气压膜阻尼至临界阻尼。分析和计算表明,麦克风...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：327KB 上传时间：2021-05-18

: 显示/光电技术中的AlGaN紫外光电导探测器的研究摘　要：在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al0．15Ga0．85N外延层，并以此为材料制作了光电导探测器，实验发现探测器具有显著的紫外光响应。分析了探测器持续光电导效应(PPC...
评级：0 浏览量：118 收藏量：0 资源大小：33KB 上传时间：2020-12-13

: 显示/光电技术中的MOCVD技术在光电薄膜中的应用导读: MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，MOCVD仍是一种...而金属有机物化学气相淀积(MOCVD)，1968年由美国洛克威公司的Manasevit等人提出制备化台物单晶薄膜的一项新技术；到8
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：95KB 上传时间：2020-11-04

: Si基3 C-SiC薄膜的LPCVD反向外延研究 (2010年) 采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以CH4和H2的混合气体作为反应源气体,在n型Si (111)衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SlC薄膜．在此反应过程中,H2作为稀释与运载气体,CH4提供C源,而Si源由Si衬底提供．...
评级：0 浏览量：97 收藏量：0 资源大小：244KB 上传时间：2021-04-24

: 集成电路钝化层薄膜的纳米力学性质研究 (2008年) 利用等离子体增强化学气相淀积工艺在P型单晶硅（111）衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、170、220nm的Si3N4薄膜，并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析。薄膜在不同载荷下的硬度和弹性...
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：1.62MB 上传时间：2021-05-07

: PECVD法制备SiO 应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2薄膜, 并用折射率来表征致密性。研究了SiO2薄膜致密性与射频(RF)功率、基板温度、腔内压强、N2O/SiH4流量比的关系。通过Filmetrics薄膜测厚仪F20测量了薄膜的折射率, ...
评级：0 浏览量：159 收藏量：2 资源大小：6.05MB 上传时间：2021-02-07

: AlGaN肖特基势垒二极管的研制 (2004年) 为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/ Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺...
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：269KB 上传时间：2021-05-18

: 二氧化硅薄膜导热系数试验研究 (2005年) 在40～170K温度范围内，测试等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法制备的SiO2薄膜导热系数，同时测试了掺杂体态硅基底的导热系数。测试结果表明：在这个温度范围内，SiO2薄膜的导热系数随着温度升高而增大；杂质对...
评级：0 浏览量：92 收藏量：0 资源大小：1.03MB 上传时间：2021-05-25

: 980 nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计 (2012年) 根据优化结果，采用金属有机化合物化学气相淀积（metal organic chemical vapor deposition, MOCVD）技术外延生长了激光器的材料，并进行测试。测试结果表明，在室温下，当工作电流为1 A时，阈值电流为150 mA，斜率...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：1.23MB 上传时间：2021-05-09

: 低应力PECVD氮化硅薄膜的制备 (2009年) 研究了等离子增强化学气相淀积( PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响。对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频( LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频( HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：817KB 上传时间：2021-05-09

: 以Co-Mo/MgO为催化剂制备小管径碳纳米管 (2008年) 用柠檬酸络合法制备催化剂Co-Mo／MgO，以CH4为碳源，采用催化化学气相淀积法制备小管径碳纳米管．通过调整反应气氛和温度，优化反应条件．所得碳纳米管形貌分别用透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜表征．研究...
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：289KB 上传时间：2021-05-18

: 用于微测辐射热计氮化硅薄膜特性与结构研究通过射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备了富硅型(0.80≤x≤1.16)氮化硅薄膜，利用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外透射光谱(FTIR)分析了薄膜的微观结构。发现薄膜内部保存了Si3N4基本结构单元，除此之外，...
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: 具有分束和聚焦功能的氮化硅二元位相型光学元件报道了自行设计的将二维Dammann光栅和Fresnel波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器,并用等离子体增强化学气相淀积法(PECVD)制备的非晶氨化硅(α-SiNx:H)薄膜制作了这样的元件,成功地实现了...
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: 1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长报道了用低压金属有机物化学气相淀积(in Chinese)LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4～6 mA。20～40 ℃时特征温度T0高达...
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: 光活性二氧化钛膜的制备方法这是一篇化学论文。很好，很先进。摘　要: 近二十年来发展起来的光催化技术可利用太阳光能对水体中的多种有机污染物进行...本文以溶胶2凝胶法、金属有机化学气相淀积、煅烧沉淀法等多种方法制备光活性二氧化钛膜。
评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：43KB 上传时间：2008-11-05

: 液态源MOCVD控制系统研究 (2007年) 金属有机物化学气相淀积(MOCVD）)技术是当前研制和生产先进化合物半导体材料的最主要技术。结合液态源MOCVD设备控制系统的组成与特点,给出了液态源 MOCVD控制系统,该系统采用可编程逻辑控制器和触摸屏实现了整个系统...
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: 一维深亚波长光栅的耦合波分析及偏振特性的研究讨论了一种新的一维深亚波长光栅,其周期结构由等离子体增强化学气相淀积法(PECVD)制备的周期性多层膜构成.简单介绍了这种深亚波长光栅的制作方法.采用严格耦合波分析(RCWA)理论计算了这种一维深亚波长光栅的衍射效率...
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: PCB技术中的集成电路工艺小结前工序图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术后工序划片封装测试老化筛选
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