采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以CH4和H2的混合气体作为反应源气体,在n型Si (111)衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SlC薄膜．在此反应过程中,H2作为稀释与运载气体,CH4提供C源,而Si源由Si衬底提供．通过X射线衍射分析仪 (XRD)与场发射扫描电镜(FESEM)分别研究生长出的3 C-SiC薄膜的晶格结构和表面形貌．其在室温下的霍尔迁移率的值为1. 22 × 103 cm2／(V・s),高于其它相关文献报道的霍尔迁移率．实验结果表明,此生长方法可以生长出表面较为平
