在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究* (1998年)

利用质量分离低能离子束外延法，在Si（Ⅲ）上生长出了硅化钴薄膜。表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明，此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜。通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果，对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析。