碳预硅化在NiSi衬底上注入Si衬底的影响

在这项工作中，研究了碳预硅化在NiSi上注入到Si（1 0 0）衬底中的影响。 通过薄层电阻测量，X射线衍射，扫描电子显微镜（SEM），平面透射电子显微镜（TEM）和第二离子质谱（SIMS）对具有不同剂量碳预硅化注入的NiSi薄膜进行了表征。 发现C的存在确实显着改善了NiSi的热稳定性，并且倾向于改变多晶NiSi的优选取向。 NiSi晶界处均匀分布的C和NiSi / Si界面处的C峰均归因于改善的NiSi热稳定性。 更重要的是，碳预硅化植入物的剂量在NiSi的形成中也起着关键作用，根据实际应用，建议在实际应用中不要超过约5 x 10（15）cm（-2）的临界值。这项工作取得了成果。