离子束外延β-FeSi2/Si薄膜的电子能谱研究和表征* (1998年)

用电子能谱分析方法对低能离子束外延（IBE）生长的B-FeSi2进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符，用XPS价带谱来表征β-Fesi2比光电子峰更为清晰、可取。同时，对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层。根据分析结果对低能IBE生长机理进行了探讨。经研究认为：Fe，Si通过空位机制进行的增强互扩散，在高温下生长出与Si晶格相匹配的B-FeSi2。