用磁控溅射法沉积了Fe/Si多层膜和Fe单层膜，在真空和Ar气中热退火2h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜。发现Fe/Si多层膜在880℃温度下热退火后，制备的β-FeSi2薄膜的XRD结果均呈现β（220）/（202）择优取向，而Fe单层膜制备的β-FeSi2样品则呈无规则取向。原子力显微镜分析表明，Ar气退火的样品表面粗糙度大于真空退火的样品。根据光吸收谱测量，Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度室温下为0.88ev。由Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜具有明显的光电导效应，这
