Si

用化学气相淀积方法, 在Si (100) 衬底上生长Si1-xGex∶C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜, 用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量, 着重研究了Si1-xGex∶C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明：Si1-xGex∶C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低, 其平均组分随着生长温度的升高而降低, 这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关; 在Si1-xGex∶C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。