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金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺,其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物,或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3,在基材substrate表面进行反应,传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。 MOCVD主要功能在于沉积高介电常数薄膜,可随着precursor的更换,而沉积出不同种类的薄膜。对于LED来说,LED芯片由不同半导体材料的多层次架构构成,这些材料放在一个装入金属有机化学气相沉积系统的圆形芯片
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基础电子中的基础电子中的MOCVD的应用范围的应用范围
金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺,其
原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物,
或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3,在基材substrate表面进行反应,传到基材衬底表面固态沉
积物的工艺。 MOCVD主要功能在于沉积高介电常数薄膜,可随着precursor的更换,而沉积出不同种类的
薄膜。对于LED来说,LED芯片由不同半导体材料的多层次架构构成,这些材料放在一个装入金属有机化学气相
沉积系统的圆形芯片
金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺,其原理为利
用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物,或是前驱物precursor
和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3,在基材substrate表面进行反应,传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。
MOCVD主要功能在于沉积高介电常数薄膜,可随着precursor的更换,而沉积出不同种类的薄膜。对于LED来说,LED芯
片由不同半导体材料的多层次架构构成,这些材料放在一个装入金属有机化学气相沉积系统的圆形芯片上。这个过程叫做晶体
取向附生,对于决定LED的性能特徵并因此影响白光LED的装仓至关重要。
MOCVD应用的范围有:
1、 钙鈦矿氧化物如PZT、SBT、CeMnO2等;
2、 铁电薄膜;
3、 ZnO透明导电薄膜、用于蓝光LED的n-ZnO和p-ZnO、用于TFT的ZnO、ZnO纳米线;
4、 表面声波器件SAW(如LiNbO3等、;
5、 三五族化合物如GaN、GaAs基发光二极体(LED)、雷射器(LD)和探测器;
6、 MEMS薄膜;
7、 太阳能电池薄膜;
8、 锑化物薄膜;
9、 YBCO 高温超导带;
10、 用于探测器的SiC、Si3N4等宽频隙光电器件
MOCVD对镀膜成分、晶相等品质容易控制,可在形状复杂的基材、衬底、上形成均匀镀膜,结构密緻,附着力良好之优
点,因此MOCVD已经成为工业界主要的镀膜技术。MOCVD制程依用途不同,制程设备也有相异的构造和型态。MOCVD近
来也有触媒制备及改质和其他方面的应用,如制造超细晶体和控制触媒得有效深度等。在可预见的未来里,MOCVD工艺的应
用与前景是十分光明的。
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weixin_38659646
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