没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长
1 下载量 133 浏览量
2021-02-11
06:04:08
上传
评论
收藏 844KB PDF 举报
温馨提示
试读
4页
报道了用低压金属有机物化学气相淀积(in Chinese)LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4~6 mA。20~40 ℃时特征温度T0高达67 K,室温下外量子效率为0.3 mW/mA。
资源推荐
资源评论
资源评论
weixin_38592420
- 粉丝: 6
- 资源: 935
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功