IPB65R150CFDA 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPB65R150CFDA是一款基于超级结（Superjunction）原理设计的650V CoolMOS™ CFDA功率MOSFET芯片，它集成了英飞凌在超级结MOSFET技术领域的领先经验与创新。这款芯片的主要特点是其超快速体二极管、极高的开关耐受性以及极低的损耗。 1. **超快速体二极管**：IPB65R150CFDA具有非常快的体二极管，这使得在需要快速反向恢复特性的应用中，芯片能表现出卓越的性能，减少了能量损失。 2. **非常高的开关耐受性**：该芯片在高电压下具有出色的耐受性，能够在极端条件下保持稳定，提高了整体系统的可靠性。 3. **极低的损耗**：由于其非常低的FOM（Figure of Merit）参数Rdson*Qg和Eoss，IPB65R150CFDA在开关、换相和传导过程中损耗极小，这有利于提高系统效率。 4. **易于使用和驱动**：这款MOSFET设计简单，便于集成到各种电路中，并且驱动要求不高，降低了设计复杂性。 5. **符合汽车级标准**：根据AEC Q101标准进行资格认证，确保了汽车电子应用的高质量和可靠性。 6. **环保封装**：采用RoHS合规的绿色封装，无铅电镀，模具化合物不含卤素，符合环保要求。 IPB65R150CFDA适用于650V的共振开关PWM（脉宽调制）阶段，特别适合应用于PC机箱（Silverbox）、液晶电视、照明、服务器、电信和太阳能等领域的电源管理。关键性能参数如表1所示： - **阈值电压Vds**：650V - **最大漏源导通电阻Rds(on)**：0.15Ω - **典型栅极电荷Qg**：86nC - **脉冲电荷Cid**：72A - **体二极管的di/dt**：900A/µs - **反向恢复电荷Qrr**：0.7µC - **反向恢复时间trr**：140ns - **最大反向漏电流Irrm**：8.8A 封装类型包括PG-TO 247D²PAK、PG-TO 263和PG-TO 220，产品标记分别为IPW65R150CFDA、IPB65R150CFDA和IPP65R150CFDA。 总结起来，IPB65R150CFDA是英飞凌的一款高性能、高效率、高可靠性的MOSFET，专为要求苛刻的电源转换应用而设计，尤其适合需要高速、低损耗和高耐受性的场景。其独特的特性使得在电力电子领域，尤其是汽车电子和绿色能源应用中，成为了一种理想的解决方案。