IPB65R310CFDA INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPB65R310CFDA是一款基于超级结（Superjunction）原理设计的650V CoolMOS™ CFDA功率MOSFET芯片。这款芯片是英飞凌技术革新的体现，它结合了领先的超级结MOSFET供应商的经验与创新，旨在提供快速切换、高耐受性以及低损耗的特点。该器件拥有超快的体二极管，提高了开关、换向和传导损失的效率，并且具有极高的耐用性。 关键特性包括： 1. **超快体二极管**：体二极管的快速响应使得在反向恢复期间能实现高效、低损耗的电流转换，减少了谐波失真，从而提高了系统性能。 2. **非常高的换向鲁棒性**：MOSFET在开关过程中承受高电压和大电流变化时，其结构能保持稳定，避免损坏，确保了在恶劣环境下的可靠性。 3. **极低的损耗**：通过极低的FOM（Figure of Merit）参数Rdson*Qg和Eoss，实现了低导通电阻和低栅极电荷，降低了开关过程中的能量损失。 4. **易于使用和驱动**：设计简单，驱动电路要求较低，方便集成到各种应用中。 5. **符合汽车级标准**：按照AEC Q101标准进行资格认证，确保了在汽车电子系统中的高质量和可靠性。 6. **环保封装**：符合RoHS标准，无铅镀层，采用无卤素的模具化合物，符合绿色环保要求。 IPB65R310CFDA适用于需要高效、高速开关的650V电源应用，例如： - 开关电源 - DC-DC转换器 - 电机驱动 - LED照明 - 逆变器 - 车载充电器 - 高频电源 关键性能参数如下： - **最大漏源电压（Vds,max）**：650V - **最大导通电阻（Rds(on),max）**：0.31Ω - **典型栅极电荷（Qg,typ）**：41nC - **脉冲电容（Cid,pulse）**：34.4A - **体二极管反向恢复电荷（Eoss @ 400V）**：3.5μJ - **体二极管电流斜率（di/dt）**：900A/μs - **反向恢复电荷（Qrr）**：0.35μC - **反向恢复时间（trr）**：95ns - **最大反向漏电流（Irrm）**：6.5A 封装类型为PG-TO 263或PG-TO 220，对应的型号有IPB65R310CFDA和IPP65R310CFDA。这些信息在规格书中均有详细描述，包括电气特性、热特性、封装信息和应用电路等，为设计者提供了全面的技术参考。