IPD65R420CFDA INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPD65R420CFDA是一款基于超级结（Superjunction）原理设计的650V CoolMOS™ CFDA功率MOSFET芯片，它以其高效能和高可靠性在汽车电子领域广泛应用。这款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）具有革新性的技术特点，旨在提升电源转换效率和设备的耐用性。 1. 超级结技术：超级结结构允许在MOSFET中实现更低的导通电阻（RDS(on)），这使得IPD65R420CFDA在高电压操作时能够显著降低传导损耗。在该芯片中，RDS(on)的最大值仅为0.42欧姆，这极大地优化了开关性能。 2. 极速体二极管：IPD65R420CFDA内置了一个超快速的体二极管，其di/dt（电流变化率）可达500A/μs，这在需要快速反向恢复的电路中至关重要，确保了在开关操作中的高效能和低损耗。 3. 高耐受性：这款MOSFET具有极高的关断耐受度（commutation ruggedness），意味着它能够在恶劣的工作条件下保持稳定，从而增强了系统在共振切换应用中的可靠性和效率。 4. 低损耗：极低的FOM（Rdson * Qg）和Eoss表明，该器件在开关、关断和导通过程中损失极小。Qg代表总栅极电荷，是影响开关速度的关键参数，而Eoss（存储能量）则影响静态功耗。 5. 易于驱动：IPD65R420CFDA设计简单易用，意味着它能与各种驱动电路兼容，无需复杂的驱动电路即可实现高效工作。 6. 汽车级认证：该器件符合AEC-Q101标准，确保了在汽车环境中的高质量和可靠性，同时也符合环保要求，如RoHS合规、无铅电镀以及无卤素的封装材料。 7. 应用场景：650V CoolMOS™ CFDA系列适用于各种开关应用，包括但不限于电动汽车、电源转换系统、电机控制、DC-DC转换器等。 8. 封装信息：IPD65R420CFDA采用PG-TO 25265封装，封装标记为F420A，其设计考虑到了热管理和电气性能的平衡。 总结来说，英飞凌的IPD65R420CFDA是一款高性能、高耐受、低损耗的MOSFET，适用于对效率和可靠性有严格要求的汽车和工业应用。其独特的超级结技术结合快速体二极管特性，使得这款器件成为高效电源管理解决方案的理想选择。