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IPD050N10N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
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IPD050N10N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册
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1
IPD050N10N5
Rev.2.1,2017-01-17Final Data Sheet
1 2
3
tab
D-PAK
Drain
Pin 2, Tab
Gate
Pin 1
Source
Pin 3
MOSFET
OptiMOS
TM
5Power-Transistor,100V
Features
•N-channel,normallevel
•ExcellentgatechargexR
DS(on)
product(FOM)
•Verylowon-resistanceR
DS(on)
•175°Coperatingtemperature
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
•QualifiedaccordingtoJEDEC
1)
fortargetapplication
•Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter Value Unit
V
DS
100 V
R
DS(on),max
5.0 mΩ
I
D
80 A
Q
OSS
67 nC
Q
G
(0V..10V) 51 nC
Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks
IPD050N10N5 P-TO252-3 050N10N5 -
1)
J-STD20 and JESD22
2
OptiMOS
TM
5Power-Transistor,100V
IPD050N10N5
Rev.2.1,2017-01-17Final Data Sheet
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3
OptiMOS
TM
5Power-Transistor,100V
IPD050N10N5
Rev.2.1,2017-01-17Final Data Sheet
1Maximumratings
atT
A
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Continuous drain current I
D
-
-
-
-
80
80
A
T
C
=25°C
1)
T
C
=100°C
Pulsed drain current
1)
I
D,pulse
- - 320 A T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
2)
E
AS
- - 110 mJ I
D
=80A,R
GS
=25Ω
Gate source voltage V
GS
-20 - 20 V -
Power dissipation P
tot
- - 150 W T
C
=25°C
Operating and storage temperature T
j
,T
stg
-55 - 175 °C
IEC climatic category;
DIN IEC 68-1: 55/175/56
2Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Thermal resistance, junction - case R
thJC
- 0.6 1 K/W -
Thermal resistance, junction - ambient,
minimal footprint
R
thJA
- - 75 K/W -
Thermal resistance, junction - ambient,
6 cm
2
cooling area
3)
R
thJA
- - 50 K/W -
Soldering temperature, wave and
reflow soldering are allowed
T
sold
- - 260 °C reflow MSL1
1)
See Diagram 3 for more detailed information
2)
See Diagram 13 for more detailed information
3)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection.
PCB is vertical in still air.
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