IPP65R150CFDA 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPP65R150CFDA是一款基于超级结（Superjunction）原理设计的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），是650V CoolMOS™ CFDA系列的一部分，由全球领先的超级结MOSFET供应商英飞凌科技推出。该系列芯片结合了高速切换超级结MOSFET的优势，并配备了一个极其快速且坚固的体二极管。这种设计使得器件在具有极低开关、换流和传导损耗的同时，具备了极高的耐用性，特别适用于谐振开关应用。 CoolMOS™ 技术的核心特性包括： 1. **超快体二极管**：IPP65R150CFDA的体二极管具有极快的反向恢复时间，能确保在高频率下的高效能工作。 2. **非常高的换流坚韧度**：这使得芯片在高电流瞬变条件下也能保持稳定，提高了系统的可靠性。 3. **极低的综合损耗**：由于其出色的FOM（Figure of Merit）参数，如RDS(on)*Qg和Eoss，导致在开关和导通过程中损失极小。 4. **易于使用和驱动**：芯片设计考虑了用户友好性，简化了驱动和控制电路的设计。 5. **符合汽车级标准**：根据AEC Q101标准进行资格认证，确保了在严苛的汽车环境中的可靠性。 6. **环保包装**：符合RoHS指令，无铅电镀，且模具化合物不含卤素，体现绿色设计理念。 该芯片广泛应用于650V的谐振开关PWM（脉宽调制）电路，如个人电脑电源（PC Silverbox）、液晶电视、照明、服务器、电信设备和太阳能系统等。表1列出了关键性能参数，包括最大漏源电压（VDS(on),max）为650V，典型栅极电荷（Qg,typ）为86nC，脉冲电容（CID,pulse）为72A，体二极管的di/dt为900A/µs，反向恢复电荷（Qrr）为0.7µC，反向恢复时间（trr）为140ns，最大反向恢复电流（Irrm）为8.8A等。 封装方面，IPP65R150CFDA采用PG-TO 220封装，其标记代码为65F6150A-3。此外，还有IPW65R150CFDA（PG-TO 247封装）和IPB65R150CFDA（PG-TO 263封装）供不同需求选择。 IPP65R150CFDA是一款高性能、高效率、高可靠性的MOSFET，适用于需要高速、低损耗和高耐用性的电源转换应用。其卓越的技术特性使其成为电力电子领域的理想选择，尤其是在追求轻量化、小型化和高效化的现代电子产品设计中。