IPA65R650CE 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPA65R650CE是一款基于超级结（Superjunction）技术的650V CoolMOS™ CE功率MOSFET。这款芯片是为满足消费电子和照明市场中的成本敏感应用而设计的，同时还能保持高效率标准。下面是关于这款芯片的详细知识点： 1. **超级结技术**：Superjunction技术是一种革命性的高压功率MOSFET设计，它通过在半导体材料中创建对称的高阻区，提高了击穿电压，同时降低了导通电阻，实现了更高的能效。 2. **低损耗**：由于其极低的FOM（figure of merit）参数，即Rdson*Qg和Eoss，IPA65R650CE在开关过程中有极低的损失。这意味着在相同的工作条件下，相比于其他MOSFET，它将消耗更少的能量。 3. **高耐受性**：该芯片具有非常高的关断坚韧度，能承受较高的开关应力，这使得它在硬开关、PWM和共振开关电路中表现优秀，如PC电源适配器、LCD和PDP电视以及室内照明应用。 4. **易于使用和驱动**：IPA65R650CE设计简单，易于驱动，适合各种应用场景，降低了系统设计的复杂性。 5. **环保特性**：采用无铅电镀和无卤素封装材料，符合环保要求，适用于标准等级的应用。 6. **并联使用注意事项**：对于MOSFET的并联使用，通常建议在门极上使用铁氧体珠或单独的对称结构，以避免并联效应导致的不一致性。 7. **关键性能参数**： - **最大漏源电压VDS @ Tj,max**：700V，表示在最大工作温度下，器件可以承受的最大电压。 - **最大导通电阻RDS(on),max**：650mΩ，定义了MOSFET在完全导通状态下的内阻。 - **ID.10.1A**：表示在特定条件下的连续电流能力。 - **总栅极电荷Qg.typ**：23nC，反映了开关MOSFET时所需的总栅极电荷量。 - **脉冲电荷ID,pulse**：18A，说明芯片在脉冲模式下的电流处理能力。 - **栅极电荷Eoss@400V**：2μJ，表示在400V时的栅极电容充电能量。 8. **封装与订购信息**：IPA65R650CE提供PG-TO 220 FullPAK封装，65S650CE和65CE650是相关的产品代码。 9. **应用领域**：包括功率因数校正（PFC）阶段、硬开关PWM阶段和谐振开关阶段，广泛应用于消费电子产品、电源适配器、LCD及PDP电视以及室内照明。 10. **安全性**：该芯片已通过相关标准认证，适用于标准级应用。 总结，IPA65R650CE是一款高效、易用且环保的650V MOSFET，其设计考虑到了实际应用中的耐用性和成本效益，适合多种电源转换和控制场景。