IPA65R190CFD 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPA65R190CFD是一款基于超级结（Superjunction）原理设计的650V CoolMOS™ CFD2系列功率MOSFET芯片。这款器件结合了英飞凌在高压MOSFET领域的先进技术和创新，提供了一种快速切换、具有极高耐用性的超快体二极管。它主要应用于工业级的开关电源，如PC机箱、液晶电视、照明设备、服务器和通信设备等领域的谐振PWM（脉宽调制）阶段。 关键性能参数包括： 1. **阈值电压（Vgs(th)@Tj=25°C）**：700V，这是MOSFET导通所需的最小栅极电压。 2. **最大漏源导通电阻（RDS(on),max）**：0.19Ω，这决定了器件在导通状态下的电阻，进而影响传导损耗。 3. **总栅极电荷（Qg,typ）**：68nC，这是从关闭到完全打开时流过栅极的电荷量，影响开关速度。 4. **电容密度（Cid,pulse）**：57.2A，反映器件的瞬态电荷存储特性。 5. **反向恢复电荷（Qrr）**：0.5μC，是体二极管从导通状态到截止状态转换时释放的电荷，影响开关损耗。 6. **反向恢复时间（trr）**：120ns，体二极管从导通到截止所需的时间，影响二极管的恢复特性。 7. **最大反向漏电流（Irrm）**：7.5A，体二极管在反向偏置下的最大漏电流。 封装形式包括TO-247D²PAK、TO-220、TO-220 FP和I²PAK，每种封装都有相应的标记代码，如IPW65R190CFD对应PG-TO 247，IPB65R190CFD对应PG-TO 263等。 此款MOSFET的优点在于： - **超快体二极管**：提供非常快的二极管开关速度，有利于减少开关过程中的损耗。 - **高耐受性**：非常高的耐受电流变化率（di/dt），增强了器件在高压环境下的稳定性。 - **极低损耗**：极低的FOM（.figure of merit）参数，如Rdson*Qg和Eoss，使得整体损耗大大降低，提高效率。 - **易于使用和驱动**：设计考虑了用户友好性，简化了驱动和控制电路的设计。 - **工业级应用认证**：符合JEDEC的J-STD20和JESD22标准，确保在各种工业环境中可靠运行。 - **环保设计**：采用无铅电镀和无卤素封装材料，符合绿色环保要求。 总结来说，IPA65R190CFD是专为需要高效、可靠且快速开关操作的谐振转换应用而设计的MOSFET。其独特的超快体二极管和低损耗特性，使其成为各种高功率应用的理想选择。通过优化的封装和电气特性，英飞凌的CoolMOS™ CFD2系列为设计者提供了强大的工具来提升系统的性能和能效。