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IPI076N12N3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
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IPI076N12N3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册
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IPI076N12N3 G IPP076N12N3 G
OptiMOS
TM
3 Power-Transistor
Features
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R
DS(on)
product (FOM)
• Very low on-resistance R
DS(on)
• 175 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant; halogen free
• Qualified according to JEDEC
1)
for target application
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Maximum ratings, at T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Conditions Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
100 A
T
C
=100 °C
76
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
400
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=100 A, R
GS
=25 W
230 mJ
Gate source voltage
3)
V
GS
±20 V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
188 W
Operating and storage temperature
T
j
, T
stg
-55 ... 175 °C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1 55/175/56
Value
V
DS
120
V
R
DS(on)max
7.6
mW
I
D
100
A
Product Summary
Type
IPI076N12N3 G
IPP076N12N3 G
Package
PG-TO262-3
PG-TO220-3
Marking
076N12N
076N12N
Rev. 2.4 page 1 2013-09-25
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