IPP200N15N3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPP200N15N3 G是一款高性能的N沟道功率MOSFET芯片，属于OptiMOS™3系列。这款芯片设计用于高效能、高频率的开关应用，如同步整流。以下是该芯片的主要特点和技术规格： **特点：** 1. **N沟道，正常级别**：意味着它是一个N型场效应晶体管，适用于正向电压应用。 2. **卓越的门极电荷乘以漏源导通电阻（FOM）产品**：这表示芯片具有高效的开关性能，低功耗。 3. **极低的漏源导通电阻R DS(on)**：在低电压下提供低电阻，从而在高电流操作时减少功率损失。 4. **工作温度高达175°C**：适应高温环境，增强其在各种应用中的耐受性。 5. **无铅电镀**：符合RoHS标准，对环境友好。 6. **根据JEDEC标准认证**：确保了芯片在目标应用中的可靠性和一致性。 7. **适用于高频开关和同步整流**：优化的特性使其在开关电源等应用中表现优异。 8. **无卤素**：符合IEC61249-2-21标准，进一步增强了其环保属性。 **最大额定值（Tj = 25°C，除非另有规定）：** 1. **连续漏极电流I DT**：在室温下为50A，100°C时为40A。 2. **脉冲漏极电流I D,pulse**：在室温下可达到200A的峰值。 3. **雪崩能量E AS**：对于50A电流和25W栅极-源极电阻，单脉冲为170mJ。 4. **反向二极管的dv/dt**：在50A电流、120V电压和100A/μs的di/dt条件下，为6kV/μs。 5. **栅极源电压V GS**：允许的最大电压范围为±20V。 6. **总功率损耗P tot**：在25°C时的最大值为150W。 7. **操作和存储温度T j, T stg**：-55°C到175°C。 **热特性：** 1. **结-壳热阻R thJC** 和 **结-空气热阻R thJA**：提供了芯片的散热性能，影响芯片的稳定运行。 2. 对于最小散热面积，R thJA的最小值为50°C/W。 **电气特性（Tj = 25°C，除非另有规定）**： 1. **漏源击穿电压V (BR)DSS**：在0V栅极电压和1mA漏极电流下，最低为150V。 2. **栅极阈值电压V GS(th)**：在V DS=V GS和90μA漏极电流下，介于23至4V之间。 3. **零栅极电压漏极电流I DSS**：在120V漏源电压和25°C时，最大值为100nA。 4. **漏源导通电阻R DS(on)**：在10V或8V的栅极电压和相应电流下，范围在16至20mΩ。 5. **栅极电阻R G**：小于2.4Ω。 6. **跨导g fs**：在超过2倍漏极电流的条件下，最大值为7S。 **封装与标识：** 1. 芯片有不同的封装形式，包括PG-TO263-3、PG-TO252-3、PG-TO262-3和PG-TO220-3。 2. 标签上印有“200N15N”作为识别码。 总结来说，IPP200N15N3 G是一款高性能、低损耗、耐高温的N沟道MOSFET，适用于需要高效能开关操作的场合，如电源管理、逆变器和电机驱动。其出色的电气和热特性确保了在不同条件下的稳定性和可靠性。