IPP030N10N3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
IPP030N10N3 G是一款由英飞凌(INFINEON)公司生产的OptiMOS™3系列N沟道功率晶体管。这款芯片主要用于高频率切换和同步整流,具有出色的性能特点和参数。 1. **特性**: - **普通级N沟道**:适用于一般的电路应用。 - **门极电荷乘以漏源导通电阻(FOM)优秀**:低门极电荷与低漏源导通电阻的组合意味着开关速度快且静态损耗低。 - **非常低的漏源导通电阻(RDS(on)**:这使得在导通状态下芯片的电阻极低,从而降低功耗。 - **工作温度高达175°C**:适应高温环境,提高了芯片的耐用性和可靠性。 - **无铅镀层,符合RoHS标准**:环保且符合电子设备的环保要求。 - **根据JEDEC标准认证**:确保产品在目标应用中的性能和兼容性。 2. **最大额定值**: - **连续漏极电流(I_D** _T)**:在25°C时为100A,在100°C时为100A。 - **脉冲漏极电流**:25°C时可达到400A。 - **单脉冲雪崩能量(E_AS)**:在100A和25W的栅极源电阻下为1000mJ。 - **门极源电压(V_GS)**:正负20V。 - **总功率损耗(P_tot)**:25°C时最大300W。 - **操作和储存温度范围**:-55到175°C,符合IEC气候类别。 3. **热特性**: - **结-壳热阻(R_thJC)**:0.5K/W,表示芯片内部热能传递到外壳的效率。 - **最小散热面积下的结-环境热阻(R_thJA)**:62K/W(6cm²冷却区域)和40K/W(3cm²冷却区域)。 4. **电气特性**: - **漏源击穿电压(V(BR)DSS)**:在0V栅极源电压和1mA漏极电流下,最小100V。 - **门阈电压(V_GS(th))**:在V_DS等于V_GS且I_D为275μA时,介于2.7至3.5V之间。 - **零门极电压漏极电流(I_DSS)**:100V的V_DS和0V的V_GS时,在25°C和125°C下的电流均为负值,表示几乎没有漏电流。 - **漏源开态电阻(R_DS(on))**:在10V或6V的栅极电压和100A或50A的漏极电流下,分别低于2.6mΩ和3.1mΩ至4.8mΩ。 - **栅极电阻(R_G)**:约为1.9Ω。 - **跨导(g_fs)**:在|V_DS|大于2|I_D|R_DS(on)max且I_D=100A时,值在94至188S之间。 5. **动态特性**: - 动态特性通常包括开关速度、上升时间、下降时间和开关损耗等,这些信息没有在摘要中给出,但它们对于评估器件在高速开关应用中的性能至关重要。 6. **封装与标记**: - 器件封装类型为PG-TO220-3和PG-TO262-3。 - 器件标记为030N10N。 总之,IPP030N10N3 G芯片是高性能的功率MOSFET,适用于需要高效能、低损耗和高温稳定性的电源管理应用。其优秀的热性能和电气特性使其成为高频开关和同步整流的理想选择。
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