IPP076N12N3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
《IPP076N12N3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册》详述了INFINEON公司的一款高性能N沟道功率晶体管——IPI076N12N3 G。这款芯片具备诸多优点,特别适用于高频率开关和同步整流的应用。 该芯片具有优异的门极电荷乘以漏源导通电阻(FOM)产品,这表明其在开关操作时能有效降低能量损耗,提高效率。同时,它拥有非常低的漏源导通电阻R DS(on),在T j = 25 °C时典型值为7.6毫欧,这意味着在大电流下能保持低电压降,降低功耗。 此外,IPI076N12N3 G芯片可承受高达175 °C的工作温度,符合RoHS标准,无铅镀层且不含卤素,满足环保要求。它已按照JEDEC标准进行资格认证,适用于目标应用。 在最大额定值方面,当T j = 25 °C时,连续漏极电流I DT 为100A,而在T j = 100 °C时为76A。脉冲漏极电流在T j = 25 °C时可达400A,单脉冲雪崩能量E AS 在I D = 100 A,R GS = 25 W条件下为230mJ。门极源电压V GS 的范围是±20V,总功率耗散P tot 在T j = 25 °C时为188W。 热特性方面,结壳热阻R thJC 为0.8K/W,而最小散热面积为626 cm²时的结大气热阻R thJA 为40。电特性在T j = 25 °C时,包括源漏击穿电压V (BR)DSS(V GS = 0 V,I D = 1 mA)为120V,门阈值电压V GS(th)(V DS = V GS,I D = 130 µA)为234V,零门极电压漏极电流I DSS(V DS = 100 V,V GS = 0 V,T j = 25 °C)为-0.11µA,以及漏源开态电阻R DS(on)(V GS = 10 V,I D = 100 A)为6.5至7.6mΩ。 此外,门极电阻R G 约为1.5Ω,跨导g fs(|V DS| > 2|I D|,R DS(on)max,I D = 100 A)在58至116S之间。对于热阻R thJC 和R thJA ,在特定的散热条件如40mm x 40mm x 1.5mm环氧PCB FR4板上进行测量,该板有6cm²的单层铜区域用于连接漏极,垂直放置在静止空气中。 总体而言,IPI076N12N3 G是一款高性能、低电阻、耐高温的N沟道功率MOSFET,适用于对效率和温度有严格要求的电源管理、电机驱动和开关电源等应用。其出色的电气特性和热性能使其成为工业、汽车和消费电子领域理想的选择。
剩余9页未读,继续阅读
- #完美解决问题
- #运行顺畅
- #内容详尽
- #全网独家
- #注释完整
- 粉丝: 4
- 资源: 4030
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
最新资源
- 改进的协同过滤混合算法在电影系统中的应用.pdf
- 泛摆线泵油槽结构对流量特性影响分析及优化.pdf
- ResNet和EfficientNet遥感图像场景分类研究.pdf
- 不同装置吸嘴长度的胶囊型粉雾剂递送过程数值模拟研究.pdf
- TDD-LTE 系统中对抗整数倍频偏的小区初始搜索算法.pdf
- 高校网络攻击溯源体系建设研究.pdf
- 孤僻学生发现方法研究.pdf
- 基于ABAQUS的电子助力器副密封圈参数优化.pdf
- 基于ANFIS模型的草原土壤湿度预测.pdf
- 主题相关资源(与电子信息计算机相关
- 主题相关资源(与电子信息计算机相关
- 主题相关资源(与电子信息计算机相关
- 主题相关资源(与电子信息计算机相关
- 工控视觉项目WPF源码解析:MVVM数据绑定与原生UI开发,适合初学者二次开发与修改,工控视觉项目桌面端WPF源码,UI源码,已实现前后端MVVM数据绑定 除了两个柱状图用的第三方开源控件,其他都是
- Simulink风机储能电解制氢装置:风储与风光储制氢结构详解及波形图分析,simulink风机储能电解制氢装置,风储制氢,风光储制氢,无光伏,波形如图,结构详细 ,核心关键词:Simulink风
- 程序员述职报告 ppt 模板