IPP076N12N3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

《IPP076N12N3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册》详述了INFINEON公司的一款高性能N沟道功率晶体管——IPI076N12N3 G。这款芯片具备诸多优点，特别适用于高频率开关和同步整流的应用。 该芯片具有优异的门极电荷乘以漏源导通电阻（FOM）产品，这表明其在开关操作时能有效降低能量损耗，提高效率。同时，它拥有非常低的漏源导通电阻R DS(on)，在T j = 25 °C时典型值为7.6毫欧，这意味着在大电流下能保持低电压降，降低功耗。 此外，IPI076N12N3 G芯片可承受高达175 °C的工作温度，符合RoHS标准，无铅镀层且不含卤素，满足环保要求。它已按照JEDEC标准进行资格认证，适用于目标应用。 在最大额定值方面，当T j = 25 °C时，连续漏极电流I DT 为100A，而在T j = 100 °C时为76A。脉冲漏极电流在T j = 25 °C时可达400A，单脉冲雪崩能量E AS 在I D = 100 A，R GS = 25 W条件下为230mJ。门极源电压V GS 的范围是±20V，总功率耗散P tot 在T j = 25 °C时为188W。 热特性方面，结壳热阻R thJC 为0.8K/W，而最小散热面积为626 cm²时的结大气热阻R thJA 为40。电特性在T j = 25 °C时，包括源漏击穿电压V (BR)DSS（V GS = 0 V，I D = 1 mA）为120V，门阈值电压V GS(th)（V DS = V GS，I D = 130 µA）为234V，零门极电压漏极电流I DSS（V DS = 100 V，V GS = 0 V，T j = 25 °C）为-0.11µA，以及漏源开态电阻R DS(on)（V GS = 10 V，I D = 100 A）为6.5至7.6mΩ。 此外，门极电阻R G 约为1.5Ω，跨导g fs（|V DS| > 2|I D|，R DS(on)max，I D = 100 A）在58至116S之间。对于热阻R thJC 和R thJA ，在特定的散热条件如40mm x 40mm x 1.5mm环氧PCB FR4板上进行测量，该板有6cm²的单层铜区域用于连接漏极，垂直放置在静止空气中。 总体而言，IPI076N12N3 G是一款高性能、低电阻、耐高温的N沟道功率MOSFET，适用于对效率和温度有严格要求的电源管理、电机驱动和开关电源等应用。其出色的电气特性和热性能使其成为工业、汽车和消费电子领域理想的选择。