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IPP114N12N3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
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IPP114N12N3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册
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IPP114N12N3 G
OptiMOS
TM
3 Power-Transistor
Features
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R
DS(on)
product (FOM)
• Very low on-resistance R
DS(on)
• 175 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant; halogen free
• Qualified according to JEDEC
1)
for target application
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Maximum ratin
g
s
,
at
T
j
=2
5
°
C,
unless otherwise s
p
ecified
V
DS
120 V
R
DS(on)max
11.4
m
Ω
I
D
75
A
Product Summar
y
Type IPP114N12N3 G
Package PG-TO220-3
Marking 114N12N
Rev. 2.4 page 1 2011-11-25
Maximum
ratings
,
at
T
j
25
C
,
unless
otherwise
specified
Parameter Symbol Conditions Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
75 A
T
C
=100 °C
53
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
300
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=75 A, R
GS
=25 Ω
120 mJ
Gate source voltage
3)
V
GS
±20 V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
136 W
Operating and storage temperature
T
j
, T
stg
-55 ... 175 °C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1 55/175/56
3
)
T
jmax
=150°C and duty cycle D=0.01 for V
gs
<-5V
Value
1)
J-STD20 and JESD22
2)
see figure 3
Rev. 2.4 page 1 2011-11-25
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