IPD090N03L G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IPD090N03L G 是英飞凌（Infineon）公司生产的OptiMOS™3系列的一款高性能N沟道功率MOSFET。这款芯片特别适用于快速切换的开关电源（SMPS）和优化的直流/直流转换器应用。该器件具有JEDEC标准认证，适合目标应用，并且是无铅镀层设计，符合环保要求。 关键特性包括： 1. **快速切换MOSFET**：IPD090N03L G 设计用于高效率、高速度的开关操作，适用于需要快速开关动作的电源系统。 2. **优化的技术**：专为直流/直流转换器优化，确保在这些应用中的高效能和稳定性。 3. **逻辑电平栅极驱动**：N沟道MOSFET，栅源电压（VGS）为4.5V或10V时即可轻松驱动，适合与常见的逻辑电路配合使用。 4. **卓越的门极电荷x导通电阻产品（FOM）**：低门极电荷和低导通电阻的组合，使得开关损耗减至最低，提高整体系统效率。 5. **非常低的导通电阻（RDS(on)）**：在特定条件下，如VGS=4.5V和ID=30A时，RDS(on)可低至10.8mΩ至13.5mΩ，降低工作时的功耗和发热。 6. **耐雪崩能力**：芯片能够承受单脉冲雪崩电流（IAS）高达40A，以及相应的雪崩能量（EAS），增强了其在过载条件下的安全性。 7. **反向二极管特性**：内置反向二极管能够在适当的速率下处理反向电流，防止电压尖峰对电路造成损害。 **主要参数**： - **连续漏极电流（ID）**：在不同温度和栅极电压下，ID的最大值在40A左右。 - **脉冲漏极电流（I_D,pulse）**：在25°C时，脉冲漏极电流最大为280A。 - **栅源电压（VGS）**：允许的最大栅源电压为正负20V。 - **功率耗散（Ptot）**：在25°C时，最大功率耗散为42W。 - **热特性**：包括结壳热阻（RthJC）和结空气热阻（RthJA），这些参数影响芯片的散热性能。 - **电气特性**：包括静态特性和动态特性，如漏源击穿电压（V(BR)DSS）、栅阈值电压（VGS(th)）、零栅压漏电流（I_DSS）、栅漏电流（I_GSS）、导通电阻（R_DS(on)）、栅极电阻（R_G）和跨导（g_fs）等。 **使用注意事项**： - 在使用过程中，必须注意芯片的工作和存储温度范围，以及在不同温度下的额定电流和电压，以避免损坏。 - 对于高功率应用，应考虑散热解决方案，确保芯片的热管理以维持稳定的工作状态。 - 在设计电路时，需参考数据手册中的详细信息，如图3所示，以获取更精确的性能数据。 总结来说，IPD090N03L G是一款高性能、低损耗、适用于电源转换的MOSFET，其优化的特性使其成为电源系统设计的理想选择。在实际应用中，必须充分理解并遵循其规格书中的参数和建议，以确保可靠性和效率。