IPD60N10S4L12ATMA1 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IPD60N10S4L-12.Infineon 英飞凌芯片规格书手册 本文档是关于IPD60N10S4L-12 power transistor的规格书手册。该芯片是由英飞凌（Infineon）公司生产的N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor，具有高温操作和低导通电阻的特点。 主要特性 * N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor * AEC认证 * MSL1 up to 260°C peak reflow * 175°C操作温度 * 绿色产品（RoHS compliant） * 100% Avalanche测试 最大额定值 * 连续漏极电流：IDC=60A（TC=25°C, VGS=10V） * 脉冲漏极电流：ID,pulse=240A（TC=25°C） * 陷溃能，单脉冲：EAS=120mJ（ID=30A） * 陷溃电流，单脉冲：IAS=-40A * 门源电压：VGS=±16V * 功率损耗：PTOT=94W（TC=25°C） * 操作和存储温度：TJ, TSTG=-55...+175°C 热特性 * 焊接-Case热阻：RthJC=1.6K/W * 焊接- Ambient热阻：RthJA=62K/W（SMD版本，设备在PCB上） * 最小 footprint：626cm²冷却面积 电气特性 * 漏源击穿电压：V(BR)DSS=100V（VGS=0V, ID=1mA） * 门源阈值电压：VGS(th)=1.1-1.62V（VDS=VGS, ID=46µA） * 零门电压漏极电流：IDSS=-0.011µA（VDS=100V, VGS=0V） * 漏源导通电阻：RDS(on)=12.3mΩ（VGS=4.5V, ID=30A） 动态特性 * 输入电容：Ciss=244-3170pF * 输出电容：Coss=824-1070pF * 反转传输电容：Crss=77155pF * 上升延迟时间：td(on)=4-ns * 升腾时间：tr=3-ns * 下降延迟时间：td(off)=20-ns * 降腾时间：tf=21-ns * 门电荷特性：Qgs=8-10nC, Qgd=9-18nC, Qg=38-49nC * 门平板电压：Vplateau=3.5-V 逆二极管 * 连续二极管电流：IDRM=-1A * 峰值反向电压：VR=100V IPD60N10S4L-12是一款高性能的N-Channel Power Transistor，具有高温操作和低导通电阻的特点，适用于各种高频switching应用。