IRFS3307Z INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf

《IRFS3307Z 英飞凌芯片规格详解》 IRFS3307Z是由英飞凌科技公司生产的高性能电力MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），这款芯片专为高效率同步整流、不间断电源、高速功率切换以及硬开关和高频电路设计。其在提升栅极、雪崩和动态dv/dt耐受性方面表现出显著优势，同时具备了全面的电容和雪崩安全操作区特性。 该芯片的特性包括： 1. **门极耐受性增强**：IRFS3307Z具有优化的门极耐受能力，提高了芯片在高压和高速开关环境下的稳定性。 2. **雪崩耐受性**：芯片经过充分的雪崩特性测试，确保在极端条件下仍能保持良好的性能，增强了器件的抗冲击能力。 3. **动态dv/dt能力**：芯片能够承受较高的电压变化率(dv/dt)，这意味着在快速开关过程中，它能更好地抵抗潜在的损坏。 4. **增强型体二极管**：IRFS3307Z拥有出色的体二极管dV/dt和dI/dt能力，这使得在高频率应用中，芯片可以更有效地处理反向恢复电流，降低损耗。 5. **电气参数**： - **漏源电压(VDSSS)**：最大值为75V，典型的导通电阻(RDS(on))为4.6mΩ，最大值为5.8mΩ。 - **连续漏极电流(ID)**：在25°C时，硅限制的连续漏极电流为128A，封装限制的为120A。 - **脉冲漏极电流**：脉冲漏极电流的峰值取决于结温，最大功率耗散(PD)为25°C时的最大值。 6. **绝对最大额定值**： - **存储温度范围(TSTG)**：-55°C到+175°C，确保了在广泛的工作环境中芯片的可靠性。 - **焊接温度**：10秒内，距离外壳1.6mm处的最大焊接温度，以及螺钉安装扭矩限制。 7. **热特性**： - **结壳热阻(RθJC)**：典型值为0.65°C/W，表明了芯片内部结温到外壳的热传导效率。 - **壳底热阻(RθCS)**：对于TO-220封装，在平坦润滑表面的热阻为0.50°C/W。 - **结-环境热阻(RθJA)**：对于TO-220封装，典型值为62°C/W；对于D2Pak封装，典型值为40°C/W。 8. **雪崩能量(EAS、EAR)**：芯片的单脉冲雪崩能量和重复雪崩能量的上限，确保了在过载条件下的耐用性。 9. **应用场景**： - **高效同步整流**：在开关模式电源(SMPS)中，IRFS3307Z可以显著提高效率。 - **不间断电源**：适用于对电源稳定性和可靠性有高要求的系统。 - **高速功率切换**：适合于需要快速响应的电力转换电路。 - **硬开关和高频电路**：芯片的高速开关能力和低RDS(on)使其成为这些应用的理想选择。 总结来说，IRFS3307Z是一款高性能的电力MOSFET，凭借其优化的电气和热特性，适用于各种高要求的电力应用。在设计使用时，需注意其额定值和工作条件，以充分发挥其性能并确保系统的可靠运行。