BSZ024N04LS6 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的BSZ024N04LS6是一款高性能的N沟道MOSFET，属于OptiMOS 6系列，适用于同步应用。该芯片的主要特点是具有极低的导通电阻（RDS(on)），最大值仅为2.4mΩ，这使得它在高效率电源管理电路中表现出色，能够降低功率损耗并提高能效。 BSZ024N04LS6的额定电压为40V，可承受的最大直流电流ID为40A，适合处理较大的电流负载。此外，这款MOSFET经过100%雪崩测试，确保了其在过载条件下的安全性。其卓越的热性能保证了良好的散热能力，允许在高温环境下稳定工作，结温(TJ)等级高达175°C，符合JEDEC标准，适用于各种严苛的应用场景。 电荷参数如Qoss（漏源电荷）为28nC，表明开关过程中能量损失小，适合高速开关应用。此外，门极电荷QG在0V至10V和0V至4.5V的变化分别为25nC和12.3nC，低门极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动功率需求。封装采用TSDSON-8 FL，其中“FL”代表缩小源极连接，以优化热性能和尺寸。 BSZ024N04LS6还符合环保标准，无铅焊料，符合RoHS指令，且不含卤素，遵循IEC61249-2-21规定，确保了材料的环保性。此外，该芯片的订购代码为PG-TSDSON-8 FL，包装上的标记为24N04L6。 数据手册还提供了该MOSFET的详细规格，包括最大额定值、热特性、电气特性及图表，以及封装外形图等。用户可以依据这些信息来评估BSZ024N04LS6是否满足其设计需求，并进行相应的电路设计和系统集成。 BSZ024N04LS6是英飞凌推出的一款高性能、低损耗、耐高温的N沟道MOSFET，适用于需要高效能和紧凑型解决方案的电源管理应用，如电池管理系统、开关电源、DC-DC转换器和马达驱动等。其出色的电气特性和可靠性，以及对环境友好的制造工艺，使其成为现代电子设备中的理想选择。