IPB70N04S406ATMA1 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf
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英飞凌的IPB70N04S406ATMA1是一款高性能的N沟道增强模式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,属于OptiMOS-T2系列。这款电子元器件被广泛应用于汽车电子、电源管理和其他需要高效能和高可靠性的领域。 1. 主要特性: - **AEC-Q101 认证**:该产品符合汽车电子委员会的AEC-Q101标准,确保了在汽车应用中的高质量和可靠性。 - **MSL1 等级**:具有湿度敏感度等级1,意味着它能承受高达260°C的峰值再流温度,适用于现代SMT(表面贴装技术)生产流程。 - **操作温度范围广**:工作温度范围为-55°C到+175°C,保证了在极端环境下的稳定运行。 - **绿色产品**:符合RoHS(有害物质限制)指令,是环保型电子产品。 - **通过100%雪崩测试**:确保晶体管在过载条件下具备良好的耐受能力。 2. 最大额定值: - **连续漏极电流**:在25°C时为70A,100°C时为51A。 - **脉冲漏极电流**:在25°C时可达到280A。 - **雪崩能量**:单脉冲情况下,当电流为35A时,为72mJ。 - **栅源电压**:最大值为±20V。 - **功率耗散**:在25°C时为58W。 3. 封装类型: - 提供PG-TO220-3-1、PG-TO262-3-1和PG-TO263-3-2三种封装,分别标记为4N0406。 - 其中,PG-TO263-3-2封装的RDS(on)最大值为6.2mΩ。 4. 热性能: - **结壳热阻**:典型值为2.6K/W。 - **结温到环境的热阻**:对于SMD版本,最小值为62°C/W,最大值取决于冷却面积。 5. 静态电气特性: - **漏源击穿电压**:在VGS=0V和ID=1mA时,至少为40V。 - **门阈值电压**:在VDS=VGS且ID=26µA时,范围在2.0V至4.0V之间。 - **零栅压漏电流**:在VDS=40V和VGS=0V时,小于或等于0.0151µA。 - **漏源导通电阻**:在VGS=10V和ID=70A时,范围在5.6mΩ至6.5mΩ。 6. 动态特性: - **输入电容**:典型值为2550pF。 - **输出电容**:范围在490pF至640pF。 - **反向传输电容**:在1535pF左右。 - **开启延迟时间**:约为8ns。 - **上升时间**:未给出具体数值,通常与负载条件和驱动电路有关。 7. 应用场景: - 由于其出色的热性能和高耐压,这款MOSFET常用于开关电源、电机控制、电池管理系统、DC-DC转换器以及汽车电子系统中的功率切换。 IPB70N04S406ATMA1是一款高性能的N沟道MOSFET,具备优秀的电气特性和热稳定性,适合于严苛环境下的电源管理和控制系统。
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