IPB70N04S406ATMA1 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的IPB70N04S406ATMA1是一款高性能的N沟道增强模式 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，属于OptiMOS-T2系列。这款电子元器件被广泛应用于汽车电子、电源管理和其他需要高效能和高可靠性的领域。 1. 主要特性： - **AEC-Q101 认证**：该产品符合汽车电子委员会的AEC-Q101标准，确保了在汽车应用中的高质量和可靠性。 - **MSL1 等级**：具有湿度敏感度等级1，意味着它能承受高达260°C的峰值再流温度，适用于现代SMT（表面贴装技术）生产流程。 - **操作温度范围广**：工作温度范围为-55°C到+175°C，保证了在极端环境下的稳定运行。 - **绿色产品**：符合RoHS（有害物质限制）指令，是环保型电子产品。 - **通过100%雪崩测试**：确保晶体管在过载条件下具备良好的耐受能力。 2. 最大额定值： - **连续漏极电流**：在25°C时为70A，100°C时为51A。 - **脉冲漏极电流**：在25°C时可达到280A。 - **雪崩能量**：单脉冲情况下，当电流为35A时，为72mJ。 - **栅源电压**：最大值为±20V。 - **功率耗散**：在25°C时为58W。 3. 封装类型： - 提供PG-TO220-3-1、PG-TO262-3-1和PG-TO263-3-2三种封装，分别标记为4N0406。 - 其中，PG-TO263-3-2封装的RDS(on)最大值为6.2mΩ。 4. 热性能： - **结壳热阻**：典型值为2.6K/W。 - **结温到环境的热阻**：对于SMD版本，最小值为62°C/W，最大值取决于冷却面积。 5. 静态电气特性： - **漏源击穿电压**：在VGS=0V和ID=1mA时，至少为40V。 - **门阈值电压**：在VDS=VGS且ID=26µA时，范围在2.0V至4.0V之间。 - **零栅压漏电流**：在VDS=40V和VGS=0V时，小于或等于0.0151µA。 - **漏源导通电阻**：在VGS=10V和ID=70A时，范围在5.6mΩ至6.5mΩ。 6. 动态特性： - **输入电容**：典型值为2550pF。 - **输出电容**：范围在490pF至640pF。 - **反向传输电容**：在1535pF左右。 - **开启延迟时间**：约为8ns。 - **上升时间**：未给出具体数值，通常与负载条件和驱动电路有关。 7. 应用场景： - 由于其出色的热性能和高耐压，这款MOSFET常用于开关电源、电机控制、电池管理系统、DC-DC转换器以及汽车电子系统中的功率切换。 IPB70N04S406ATMA1是一款高性能的N沟道MOSFET，具备优秀的电气特性和热稳定性，适合于严苛环境下的电源管理和控制系统。