IPB180N04S400ATMA1 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的IPB180N04S400ATMA1是一款高性能的N沟道增强型功率晶体管，属于OptiMOS®-T2系列。这款电子元器件设计用于汽车和其他高可靠性应用，它符合AEC（汽车电子委员会）的资格标准，保证了在恶劣环境下的稳定性能。此外，它符合MSL1标准，能够承受高达260°C的峰值再流温度，同时也是一款绿色产品，符合RoHS（无铅和有害物质限制）规定。 该芯片的主要特点包括超低的漏源导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流传输时能保持低损耗，提高效率。其典型漏源导通电阻为0.98毫欧，在VGS=10V和ID=100A条件下。此外，该器件经过100%雪崩测试，确保了其在过载条件下的安全性，单脉冲雪崩能量EAS达到1250mJ，单脉冲雪崩电流为-180A。 在最大额定值方面，当结温Tj为25°C时，连续漏极电流ID为180A，而在Tj=100°C时，ID同样为180A。脉冲漏极电流在Tj=25°C时可达到720A。栅源电压VGS的最大值为±20V，而总功率耗散（Ptot）在Tj=25°C时为300W。操作和储存温度范围宽泛，介于-55°C到+175°C之间。 热特性方面，结壳热阻RthJC未给出具体数值，但提供了最小化热阻的PCB布局建议，以及在最小化冷却面积3的情况下，结空气热阻RthJA的最低值为40°C/W。静态电气特性中，漏源击穿电压V(BR)DSS在VGS=0V和ID=1mA时大于40V，而门阈值电压VGS(th)在VDS=VGS和ID=230μA时介于2.0V到4.0V之间。零门电压漏电流IDSS在不同温度下有明确的负值，表示反向泄漏电流的微小量。 动态特性如输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss的值在一定范围内，影响开关速度。同时，它具有快速的开通和关断延迟时间，如t(d(on))和t(d(off))，以及上升时间tr和下降时间tf。门极充电特性，包括门到源电荷Q(gs)、门到漏电荷Q(gd)和总门极电荷Q(g)，有助于理解开关过程中的能量消耗。该芯片内置了一个反向二极管，能处理连续和脉冲正向电流，确保在需要时提供电流路径。 总结来说，IPB180N04S400ATMA1是英飞凌的一款高性能N沟道功率MOSFET，具有出色的热管理能力、低损耗特性和强大的雪崩耐受能力，适用于需要高效、可靠电源转换的系统。其封装形式为PG-TO263-7-3，标识为4N0400，是汽车电子和其他对性能和可靠性要求较高的应用的理想选择。