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IPP033N04NF2S INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf
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IPP033N04NF2S INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片
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1
IPP033N04NF2S
Rev.2.0,2022-06-07Final Data Sheet
tab
PG-TO220-3
Drain
Pin 2, Tab
Gate
Pin 1
Source
Pin 3
MOSFET
StrongIRFET
TM
2Power-Transistor
Features
•Optimizedforwiderangeofapplications
•N-channel,normallevel
•100%avalanchetested
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Productvalidation
QualifiedaccordingtoJEDECStandard
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter Value Unit
V
DS
40 V
R
DS(on),max
3.3 mΩ
I
D
113 A
Q
oss
49 nC
Q
G
(0V..10V) 45 nC
Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks
IPP033N04NF2S PG-TO220-3 033N04NS -
2
StrongIRFET
TM
2Power-Transistor
IPP033N04NF2S
Rev.2.0,2022-06-07Final Data Sheet
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3
StrongIRFET
TM
2Power-Transistor
IPP033N04NF2S
Rev.2.0,2022-06-07Final Data Sheet
1Maximumratings
atT
A
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Continuous drain current
1)
I
D
-
-
-
-
-
-
113
87
25
A
V
GS
=10V,T
C
=25°C
V
GS
=10V,T
C
=100°C
V
GS
=10V,T
A
=25°C,
R
THJA
=40°C/W
2)
Pulsed drain current
3)
I
D,pulse
- - 452 A T
A
=25°C
Avalanche energy, single pulse
4)
E
AS
- - 71 mJ I
D
=70A,R
GS
=25Ω
Gate source voltage V
GS
-20 - 20 V -
Power dissipation P
tot
-
-
-
-
107
3.8
W
T
C
=25°C
T
A
=25°C,R
THJA
=40°C/W
2)
Operating and storage temperature T
j
,T
stg
-55 - 175 °C -
2Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Thermal resistance, junction - case R
thJC
- - 1.4 °C/W -
Thermal resistance, junction - ambient,
6 cm² cooling area
2)
R
thJA
- - 40 °C/W -
Thermal resistance, junction - ambient,
minimal footprint
R
thJA
- - 62 °C/W -
1)
Rating refers to the product only with datasheet specified absolute maximum values, maintaining case temperature
as specified. For other case temperatures please refer to Diagram 2. De-rating will be required based on the actual
environmental conditions.
2)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3)
See Diagram 3 for more detailed information
4)
See Diagram 13 for more detailed information
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