IPP410N30N INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的IPP410N30N是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），属于OptiMOS系列。这款芯片适用于电源管理和多市场应用，具有高性能和高耐用性的特点。 该MOSFET的主要特性包括： 1. N沟道，正常电平驱动：这意味着它在栅极电压为正时导通，适合用于低边开关应用。 2. 快速二极管：内置快速恢复二极管，减少了反向恢复电荷（Qrr），提高了开关速度和效率。 3. 优化硬切换耐受性：设计用于承受硬开关操作时的应力，提高了系统的可靠性。 4. 极低的导通电阻（RDS(on)）：仅为41毫欧，这降低了在导通状态下的功率损失，从而提高效率。 5. 高工作温度：可承受高达175摄氏度的工作环境，适合高温应用。 6. 环保无铅镀层：符合RoHS标准，不含有害物质。 7. 符合JEDEC标准：通过JEDEC1) J-STD20和JESD223测试，确保了产品的质量和稳定性。 8. 无卤素：根据IEC61249-2-21标准，不含有卤素，符合环保要求。 该芯片采用TO-220-3封装，引脚定义如下： - Drain（漏极）：Pin 2，Tab - Gate（栅极）：Pin 1 - Source（源极）：Pin 3 IPP410N30N的主要参数包括最大电压VDS为300V，最大电流ID为44A。此外，数据表还包含了最大额定值、热特性和电气特性等详细信息，如导通电阻、栅极阈值电压、输入电容等。电气特性图表提供了不同条件下的性能表现。包装轮廓部分详细列出了芯片的实际尺寸，便于安装和布局。修订历史则记录了产品设计和规格的更新历程。 IPP410N30N是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效、耐用和低损耗的电源管理方案。其优化的硬切换能力和广泛的环境适应性使其成为多种应用的理想选择。