AUIRFR8403 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的AUIRFR8403是一款专为汽车应用设计的高性能电子元器件芯片，属于HEXFET®功率MOSFET系列。这款芯片采用了先进的工艺技术，实现了极低的通态电阻，从而在每单位硅片面积上提供了卓越的效率。 该芯片的主要特性包括： 1. **超低导通电阻**：AUIRFR8403具有典型的2.4毫欧（mΩ）的RDS(on)，在硅片限制下的最大连续漏极电流ID可达127A。而在封装限制下，100A的ID时，RDS(on)的最大值为3.1mΩ。这使得它在高电流传输时能保持较低的功率损耗，提高系统效率。 2. **高温运行能力**：芯片可以在高达175°C的结温（TJ）下稳定工作，这使其适用于汽车环境中高温条件的应用。 3. **快速切换**：设计优化了开关速度，使得在高速开关操作中也能保持良好的性能，降低开关损失。 4. **重复雪崩耐受**：允许在Tjmax条件下进行重复雪崩操作，增强了其在过载条件下的安全性和可靠性。 5. **环保兼容性**：该产品符合RoHS标准，无铅，并已通过汽车级资格认证，符合严格的环境要求。 6. **脉冲漏极电流**：IDM脉冲漏极电流最大可达到520A，适用于瞬态大电流需求的场景。 7. **最大功率耗散**：在25°C时的最大功率耗散为99W，线性降额因子为0.66W/°C，意味着随着温度升高，功率耗散会线性减少。 8. **电气参数**：门极至源极电压VGS的最大值为±20V，确保了宽范围的操作可能性。 9. **热管理**：尽管未提供具体数值，但提及了板级热阻和功率耗散的测量，这意味着该器件考虑到了实际应用中的散热问题。 这款MOSFET适用于各种汽车应用，如电池管理系统、电机控制、电源转换和车载充电器等，同时也因其出色的性能和可靠性指标，可以广泛应用于工业和其他高功率需求领域。 需要注意的是，绝对最大额定值是器件承受的极限应力，长时间超过这些值可能影响设备的可靠性。而功能操作应在规格书中指定的条件下进行。用户在设计电路时应充分考虑这些参数，确保器件的安全工作条件。此外，英飞凌的官方网站提供了更详细的资格标准和数据，以供进一步的技术参考。