IRF9389 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

**IRF9389是英飞凌（INFINEON）公司生产的HEXFET®功率MOSFET芯片，主要用于电子设备的电源管理。这款芯片包含一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，设计在单一封装内，以提高电源系统的密度和效率。** ### 主要特性 1. **高、低侧MOSFET集成**：IRF9389将高侧P沟道和低侧N沟道MOSFET整合在一起，这使得它适用于需要同时控制正向和反向电流的应用，如电池管理系统或开关电源。 2. **高侧P沟道MOSFET**：高侧MOSFET允许在不需额外驱动电路的情况下实现隔离控制，简化了电路设计。 3. **标准引脚布局**：采用行业标准的SO-8封装，确保与其他供应商的兼容性，便于使用现有的表面贴装技术进行组装。 4. **环境友好**：IRF9389符合RoHS标准，不含铅、溴化物和卤素，有利于环保。 5. **高可靠性**：具有较高的连续和脉冲漏极电流规格，以及良好的热性能，如低的结-漏极热阻（RθJD）和结-环境热阻（RθJA），确保了芯片在高温下的稳定工作。 ### 技术参数 - **额定电压**：N沟道MOSFET的源漏极击穿电压（BVDSS）为30V，P沟道MOSFET的源漏极击穿电压为-30V。 - **开启电阻（RDS(on)）**：N沟道MOSFET的最大开启电阻典型值为276mΩ，P沟道MOSFET的最大开启电阻典型值为46mΩ，这决定了芯片在导通状态下的电压降。 - **栅极阈值电压（VGS）**：栅极至源极的最大电压为±20V，这决定了MOSFET何时导通和关闭。 - **持续漏极电流（ID）**：在25°C和70°C的环境温度下，N沟道和P沟道MOSFET的持续漏极电流有不同的规格，随着温度的升高，电流能力会有所下降。 - **脉冲漏极电流（IDP）**：允许的脉冲漏极电流受到最大结温限制，脉冲宽度通常限制在400μs以内，且占空比不超过2%。 - **功率耗散（PD）**：同样受到结温和线性降额系数的影响，芯片在不同温度下的最大功率耗散有所不同。 - **热特性**：包括结-漏极热阻（RθJD）和结-环境热阻（RθJA），它们决定了芯片如何有效地散热。 ### 应用领域 - **电源管理**：IRF9389常用于电源切换和控制，例如DC-DC转换器。 - **电机控制**：其高侧和低侧MOSFET的组合适合电机的正反转控制。 - **负载开关**：可用于控制高功率电子设备的开/关操作。 ### 封装与订购信息 - IRF9389PbF是基本型号，采用SO-8封装，可以按管装或带状卷盘购买。 - IRF9389TRPbF是采用带状卷盘包装的版本，标准包为4000个。 IRF9389是一款高效、灵活且易于集成的功率MOSFET，适用于需要双MOSFET功能的多种电源和控制系统。其出色的电气特性和热性能，结合环保属性，使其成为现代电子设计中的理想选择。