IAUA200N04S5N010 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf
英飞凌IAUA200N04S5N010是一款专为汽车应用设计的OptiMOS™-5功率MOSFET芯片。这款电子元器件是增强模式的正常水平N沟道MOSFET,符合AEC Q101标准,确保其在汽车环境中的可靠性。此外,它符合RoHS规定,是一款绿色产品,能够承受高达260°C峰值回流的温度,并可在175°C的高温下持续工作。 该芯片的最大额定值在Tj=25°C时,连续漏极电流ID为200A,而在Tj=100°C时,ID同样为200A。脉冲漏极电流在Tj=25°C时可达800A,单脉冲雪崩能量为EAS,当ID=100A时为280mJ,而单脉冲雪崩电流IAS为-200A。门源电压VGS的范围是±20V,最大功率耗散Ptot在Tj=25°C时为167W。 IAUA200N04S5N010封装类型为PG-HSOF-5,其封装标记为5N04N010,且具有清晰的序列号。热特性方面,结-壳热阻RthJC小于或等于0.9K/W,而结-环境热阻RthJA在6cm²冷却面积条件下未给出具体数值,但通常较低,确保了良好的散热性能。 电气特性方面,漏源击穿电压V(BR)DSS在VGS=0V,ID=1mA时为40V。门阈值电压VGS(th)在VDS=VGS,ID=100μA时,范围在2.2V至3.4V之间。零门电压漏极电流IDSS在VDS=40V,VGS=0V,Tj=25°C时小于1μA,在更高温的Tj=125°C时,IDSS的范围是2μA至100μA。门源漏电流IGSS在VGS=20V,VDS=0V时小于100nA。漏源通态电阻RDS(on)在VGS=7V,ID=100A时的典型值在0.9mΩ至1.2mΩ之间,而在VGS=10V,ID=100A时,RDS(on)的典型值在0.8mΩ至1.0mΩ。 动态特性上,输入电容Ciss的典型值为7650pF,输出电容Coss的范围是1600pF至2130pF,反向传输电容Crss为80pF至120pF。开关性能参数包括:导通延迟时间td(on)在11ns左右,上升时间tr约6ns,关断延迟时间td(off)约为23ns,下降时间tf为12ns。门控电荷特性中,栅源电荷Qgs、栅漏电荷Qgd和总门电荷Qg的范围分别是2837nC至37nC、213nC至32nC以及99nC至132nC。此外,芯片内置的反向二极管可连续通过2A的正向电流。 总体来说,IAUA200N04S5N010是一款高性能、高可靠性的汽车级MOSFET,适用于需要大电流处理和高效能转换的汽车电子系统。其优秀的热管理能力和出色的电气特性使其成为汽车电源管理、电机控制和其他电力电子应用的理想选择。
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