IAUT200N08S5N023 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf
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2023-05-29
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IAUT200N08S5N023
OptiMOS™-5 Power-Transistor
Features
• N-channel - Enhancement mode
• AEC qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green product (RoHS compliant)
• Ultra low Rds(on)
• 100% Avalanche tested
Maximum ratings, at T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Conditions Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25°C, V
GS
=10V
1)
200 A
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
148
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
800
Avalanche energy, single pulse
2)
E
AS
I
D
=100 A
330 mJ
Avalanche current, single pulse
I
AS
-
200 A
Gate source voltage
V
GS
- ±20 V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
200 W
Operating and storage temperature
T
j
, T
stg
- -55 ... +175 °C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1 -
- 55/175/56
Value
V
DS
80
V
R
DS(on)
2.3
mW
I
D
200
A
Product Summary
Type
Package
Marking
IAUT200N08S5N023
P/G-HSOF-8-1
5N08023
Gate
pin 1
Drain
Tab
Source
pin 2 - 8
H-PSOF-8-1
8
1
1
8
Tab
Tab
Rev. 1.0 page 1 2017-12-15
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