IAUA180N04S5N012 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的IAUA180N04S5N012是一款专为汽车应用设计的OptiMOS™-5功率MOSFET芯片。这款N沟道增强模式正常级功率MOSFET通过了AEC Q101质量认证，确保其在汽车环境中的可靠性。它符合严格的环保标准，是绿色产品，符合RoHS规定，这意味着它不含有害物质。 在电气性能方面，IAUA180N04S5N012的最大连续漏极电流（I_DT）在环境温度T_j为25°C且栅极电压V_GS为10V时为180A。在T_j为100°C时，该值同样为180A。脉冲漏极电流（I_D,pulse）在T_j为25°C时可达到720A。该芯片能够承受单脉冲雪崩能量E_AS，当I_D为90A时，E_AS为175mJ。同时，最大允许的雪崩电流（I_AS）为180A，而栅极源电压V_GS的范围在-20V到+20V之间。 在热特性上，IAUA180N04S5N012的结-壳热阻（R_thJC）未给出具体数值，但其结-环境热阻（R_thJA）在6cm²冷却面积下也未给出确切值。功率耗散（P_tot）在T_j为25°C时的最大值为125W。工作和存储温度范围广泛，从-55°C到+175°C。 在封装方面，IAUA180N04S5N012采用PG-HSOF-5封装，产品标识为5N04N012，批次编号112345。其主要参数包括最大漏源击穿电压V_(BR)DSS，在V_GS=0V，I_D=1mA条件下，该值至少为40V。门阈值电压V_GS(th)在V_DS=V_GS，I_D=70μA时，范围在2.2V到3.4V之间。零栅极电压漏极电流I_DSS在V_DS=40V，V_GS=0V，T_j=25°C时小于1μA，在T_j=125°C时小于100nA。 在静态特性上，漏源开态电阻R_DS(on)在V_GS=7V，I_D=90A时，典型值在1.4mΩ至1.2mΩ之间，而在V_GS=10V，I_D=90A时，典型值在1.2mΩ至1.0mΩ之间。动态特性如输入电容C_iss、输出电容C_oss、反向传输电容Crss、开通延迟时间t_d(on)、上升时间t_r、关断延迟时间t_d(off)、下降时间t_f以及门极充电特性如栅极到源极电荷Q_gs、栅极到漏极电荷Q_gd、总门极电荷Q_g和门极平台电压V_plateau等也有详细规定。 此外，IAUA180N04S5N012还内置了一个反向二极管，用于在需要时提供反向电流路径。这个反向二极管在电路设计中可以提供额外的灵活性。 总体来说，IAUA180N04S5N012是一款高性能、高可靠性的汽车级功率MOSFET，适用于需要大电流处理和高效能转换的场合。其优化的电气和热特性使其成为汽车电子系统，尤其是电源管理或电机控制等应用的理想选择。