IAUC120N04S6N009 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

【IAUC120N04S6N009】是英飞凌（INFINEON）公司生产的一款OptiMOS™-6系列的功率MOSFET芯片，主要用于汽车电子应用。这款芯片是N沟道增强模式的正常级别器件，已经通过了AEC Q101的汽车行业质量标准认证，确保了其在严苛环境下的可靠性。同时，它符合RoHS规定，属于绿色环保产品，能够在高达175°C的工作温度下稳定运行。 在电气性能方面，该芯片的最大连续漏极电流（I_D, C）在25°C时为120A，在100°C时也是120A，说明其在高温下仍能保持良好的电流承载能力。脉冲漏极电流（I_D,pulse）在25°C时可达到480A，表明其短时大电流驱动的能力。此外，IAUC120N04S6N009还通过了100%的雪崩测试，单脉冲雪崩能量（E_AS）在特定条件下为400mJ，单脉冲雪崩电流（I_AS）可达60A，确保了在过载条件下的安全性。 在耐压方面，漏源间最大额定电压（V_DS）为40V，而最大漏源开启电阻（R_DS(on),max）在7V栅极电压和60A漏极电流下为0.95至1.1mΩ，而在10V栅极电压和60A漏极电流下则为0.75至0.9mΩ，这显示了芯片的低导通电阻，意味着在工作时有更低的功率损耗。栅极源极电压（V_GS）的最大值为±20V，零栅极电压漏极电流（I_DSS）在40V的漏源电压下非常小，即使在125°C的高温下也能保持在100nA以下，表明了其出色的漏电流控制。栅极源极泄漏电流（I_GSS）在20V的栅极电压和0V的漏源电压下不超过100nA。 热性能方面，芯片的结-壳热阻（R_thJC）未给出具体数值，但表示在1.0K/W范围内，而结-环境热阻（R_thJA）在6cm²冷却面积条件下未提供具体数值。这些参数对于计算芯片在工作时的温升至关重要。 动态特性方面，输入电容（C_iss），输出电容（C_oss）和反向传输电容（Crss）分别在一定范围内，影响着开关速度和瞬态响应。同时，提供了开、关延迟时间（t_d(on)、t_d(off)）、上升时间（t_r）、下降时间（t_f）以及栅极电荷（Q_gs、Q_gd），这些参数对于评估开关效率和控制性能至关重要。 总结来说，IAUC120N04S6N009是一款高性能的汽车级N沟道MOSFET，具有高耐压、低导通电阻、良好的热管理和可靠的动态特性，适用于需要高效能和可靠性的电源管理、电机控制以及汽车电子系统中。