IAUA120N04S5N014 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf
英飞凌IAUA120N04S5N014是一款专为汽车应用设计的OptiMOS™-5功率MOSFET芯片。这款电子元器件是一款N沟道增强模式的普通级别器件,符合AEC Q101标准,确保其在汽车行业中的可靠性。同时,该芯片符合RoHS指令,属于绿色环保产品,能够承受高达260°C的峰值回流温度,并能在-55到+175°C的工作及存储温度范围内稳定工作。 该MOSFET的最大连续漏极电流(I_D)在环境温度为25°C、栅源电压(V_GS)为10V时为120A,在100°C环境下同样条件下的电流也是120A。此外,它能承受脉冲漏极电流高达480A,单脉冲雪崩能量(E_AS)在I_D=60A时为190mJ,而最大栅源电压(V_GS)为±20V。功率耗散(P_tot)在25°C下不超过136W。 在热特性方面,结-壳热阻(R_thJC)未给出具体值,但通常表示芯片内部热能传递到封装外壳的效率。结-环境热阻(R_thJA),在6cm²冷却面积条件下,其值未直接给出,但一般影响芯片散热到周围环境的能力。在电气特性上,漏源击穿电压(V_(BR)DSS)在V_GS=0V、I_D=1mA时至少为40V,而门阈值电压(V_GS(th))在V_DS=V_GS、I_D=60μA时的范围是2.2至3.4V。 零栅压漏电流(I_DSS)在V_DS=40V、V_GS=0V、T_j=25°C时小于1μA,而在125°C时则在2至100nA之间。漏源开态电阻(R_DS(on))在V_GS=7V、I_D=60A时介于1.5至1.6mΩ,而当V_GS=10V、I_D=60A时则在1.2至1.4mΩ之间。 动态特性包括输入电容(C_iss)、输出电容(C_oss)和反向传输电容(Crss),它们对器件的开关速度有直接影响。输入电容在36至48皮法,输出电容在990至1317皮法,反向传输电容在466至900皮法。此外,还有开启延迟时间(t_d(on))、上升时间(t_r)、关断延迟时间(t_d(off))、下降时间(t_f)以及门极总电荷(Q_g)。这些参数对于理解器件在高速开关应用中的性能至关重要。 门极到源极电荷(Q_gs)、门极到漏极电荷(Q_gd)和总门极电荷(Q_g)分别在162至210纳库仑、132至200纳库仑和628至2纳库仑之间。门极平台电压(V_plateau)在4.6伏左右,这些特性影响了开关转换过程中的能量损耗。 总结来说,IAUA120N04S5N014是一款高性能、高可靠性的汽车级功率MOSFET,适用于需要高效能、低损耗和严格温度控制的电力转换和驱动应用。它的电气和热特性使其成为汽车电子系统中的理想选择,尤其是在电池管理系统、电机控制和电源转换等应用场景。
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