IAUA120N04S5N014 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌IAUA120N04S5N014是一款专为汽车应用设计的OptiMOS™-5功率MOSFET芯片。这款电子元器件是一款N沟道增强模式的普通级别器件，符合AEC Q101标准，确保其在汽车行业中的可靠性。同时，该芯片符合RoHS指令，属于绿色环保产品，能够承受高达260°C的峰值回流温度，并能在-55到+175°C的工作及存储温度范围内稳定工作。 该MOSFET的最大连续漏极电流（I_D）在环境温度为25°C、栅源电压（V_GS）为10V时为120A，在100°C环境下同样条件下的电流也是120A。此外，它能承受脉冲漏极电流高达480A，单脉冲雪崩能量（E_AS）在I_D=60A时为190mJ，而最大栅源电压（V_GS）为±20V。功率耗散（P_tot）在25°C下不超过136W。 在热特性方面，结-壳热阻（R_thJC）未给出具体值，但通常表示芯片内部热能传递到封装外壳的效率。结-环境热阻（R_thJA），在6cm²冷却面积条件下，其值未直接给出，但一般影响芯片散热到周围环境的能力。在电气特性上，漏源击穿电压（V_(BR)DSS）在V_GS=0V、I_D=1mA时至少为40V，而门阈值电压（V_GS(th)）在V_DS=V_GS、I_D=60μA时的范围是2.2至3.4V。 零栅压漏电流（I_DSS）在V_DS=40V、V_GS=0V、T_j=25°C时小于1μA，而在125°C时则在2至100nA之间。漏源开态电阻（R_DS(on)）在V_GS=7V、I_D=60A时介于1.5至1.6mΩ，而当V_GS=10V、I_D=60A时则在1.2至1.4mΩ之间。 动态特性包括输入电容（C_iss）、输出电容（C_oss）和反向传输电容（Crss），它们对器件的开关速度有直接影响。输入电容在36至48皮法，输出电容在990至1317皮法，反向传输电容在466至900皮法。此外，还有开启延迟时间（t_d(on)）、上升时间（t_r）、关断延迟时间（t_d(off)）、下降时间（t_f）以及门极总电荷（Q_g）。这些参数对于理解器件在高速开关应用中的性能至关重要。 门极到源极电荷（Q_gs）、门极到漏极电荷（Q_gd）和总门极电荷（Q_g）分别在162至210纳库仑、132至200纳库仑和628至2纳库仑之间。门极平台电压（V_plateau）在4.6伏左右，这些特性影响了开关转换过程中的能量损耗。 总结来说，IAUA120N04S5N014是一款高性能、高可靠性的汽车级功率MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和严格温度控制的电力转换和驱动应用。它的电气和热特性使其成为汽车电子系统中的理想选择，尤其是在电池管理系统、电机控制和电源转换等应用场景。