IAUC60N04S6N044 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌IAUC60N04S6N044是一款专为汽车应用设计的OptiMOS-6功率MOSFET芯片。这款N沟道增强模式正常级MOSFET符合AEC Q101汽车行业质量标准，表明其在可靠性方面经过了严格的测试。此外，该芯片符合RoHS指令，属于绿色环保产品，能够承受高达260°C的峰值回流温度，并能在-55到+175°C的操作及存储温度范围内稳定工作。 该MOSFET的主要规格包括：在Tj = 25°C时，连续漏极电流ID为60A；在Tj = 100°C时，ID为50A。脉冲漏极电流最大可达240A，单脉冲雪崩能量EAS为48.0mJ，对应的雪崩电流为12A。门源电压VGS的最大值为±20V，而功率耗散Ptot在25°C时为42W。 热特性方面，芯片具有低的结壳热阻RthJC（典型值3.6K/W），以及结到环境的热阻RthJA，但未给出具体数值。在6cm²冷却面积下，RthJA的具体值依赖于实际的散热条件。 电气性能方面，当Tj = 25°C时，漏源击穿电压V(BR)DSS在VGS = 0V，ID = 1mA时为40V。门阈值电压VGS(th)在VDS = VGS，ID = 14μA时的范围是2.2V至3.0V。零门电压漏极电流IDSS在VDS = 40V，VGS = 0V，Tj = 25°C时小于或等于1μA，在Tj = 125°C时小于或等于5μA。门源漏电流IGSS在VGS = 20V，VDS = 0V时小于100nA。 在静态特性中，漏源导通电阻RDS(on)在VGS = 7V，ID = 30A时的范围是3.53mW至4.52mW，在VGS = 10V，ID = 30A时的范围是3.53mΩ至4.52mΩ。动态特性方面，输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss的值分别在80pF至42pF、257pF至334pF和18pF至28pF之间。同时，开关时间参数如开启延迟t d(on)、上升时间tr、关闭延迟t d(off)和下降时间tf分别在3ns至5ns、1至无定义、5至无定义和2ns至无定义的范围内。门极电荷特性包括门到源电荷Qgs、门到漏电荷Qgd和总门极电荷Qg，分别在3.7nC至4.9nC、3.1nC至4.6nC和13nC至18nC之间，门极平台电压Vplateau的值未给出。 总体来说，IAUC60N04S6N044是一款高性能、高可靠性的汽车级MOSFET，适用于需要大电流处理和高效能转换的电路设计。其低RDS(on)和良好的开关性能使其成为汽车电子系统，尤其是电源管理、电机驱动和其他功率转换应用的理想选择。