BSS806NE INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf
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BSS806NE OptiMOS™ 2 Small-Signal-Transistor 以下是根据给定文件生成的相关知识点: 概述 BSS806NE 是一款小信号晶体管,由英飞凌(INFINEON)公司生产。该器件具有 N 通道、增强模式和 Ultra Logic 电平(1.8V 评级),同时具有 ESD 保护和雪崩评级功能。 参数 该器件的参数包括: * 连续漏极电流(I DT):2.3 A(T j=25 °C),1.9 A(T j=70 °C) * 脉冲漏极电流(I D,pulse):9.3 A * 雪崩能量(E AS):10.8 mJ * 逆向二极管 dv/dt:6 kV/µs *栅源电压(V GS):±8 V * 功率耗散(P tot):依赖于环境温度 热特性 该器件的热特性包括: * 热阻(R thJA):250 K/W * 工作温度范围:-55 °C 到 150 °C 电气特性 该器件的电气特性包括: * 漏源击穿电压(V (BR)DSS):20 V *栅阈值电压(V GS(th)):0.3 V 到 0.75 V * 漏源漏电流(I DSS):≤ 1 mA *栅漏电流(I GSS):≤ 6 µA * 漏源导纳(R DS(on)):57 mΩ(V GS=2.5 V, I D=1.3 A),82 mΩ(V GS=1.8 V, I D=1.3 A) * 传导增益(g fs):9 S 应用 BSS806NE 小信号晶体管适用于各种电子应用,例如:开关电源、DC-DC 转换器、音频设备等。 包装 该器件的包装类型为 PG-SOT23,halogen-free,符合 RoHS 和 IEC61249-2-21 标准。 结论 BSS806NE 小信号晶体管是一款高性能、低功耗的器件,适用于各种电子应用。其优异的热特性和电气特性使其在工业电子和消费电子产品中得到了广泛应用。
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