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BSS214N 英飞凌 OptiMOS™ 2 小信号晶体管 本文将详细介绍 BSS214N 英飞凌 OptiMOS™ 2 小信号晶体管的特性、参数和应用。 概述 BSS214N 是一款 N-Channel 小信号晶体管，属于英飞凌 OptiMOS™ 2 系列。它具有超低导通电阻、低阈值电压和高电流能力，适合于各种电子设备和系统的设计和应用。 特性 * N-Channel 小信号晶体管 * Enhancement 模式 * 超低导通电阻（RDS(on)） * 超低阈值电压（VGS(th)） * 高电流能力（ID） * 高温下高可靠性 * 100% 无铅、 RoHS 符合 *無料卤素（Halogen-free） 参数 * 连续漏极电流（IDT）：1.5A（TA=25°C），1.2A（TA=70°C） * 脉冲漏极电流（ID,pulse）：6A（TA=25°C） * 冲击能量（EAS）：3.7mJ（ID=1.5A，RGS=25Ω） * 逆向二极管 dv/dt：6kV/μs（ID=1.5A，VDS=16V，di/dt=200A/μs） *闸源电压（VGS）：±12V * 功率损耗（Ptot）：2W（TA=25°C） * 工作温度范围：-55°C ~ 150°C * 储存温度范围：-55°C ~ 150°C * ESD 等级：JEDEC22-A114 - HBM 0 (<250V) 应用 BSS214N 小信号晶体管适合于各种电子设备和系统的设计和应用，如： * 电源管理系统 * 电子控制系统 * 通信系统 * 计算机系统 * 消费电子产品 热设计特性 * 热阻（RthJA）：250K/W（最小 footprint） * 热特性：符合 IEC 68-155/150/56 电气特性 * 漏极源击穿电压（V(BR)DSS）：20V（VGS=0V，ID=250μA） * 闸阈值电压（VGS(th)）：0.7 ~ 1.2V（VDS=VGS，ID=3.7μA） * 漏极源漏电流（IDSS）：1μA（VDS=20V，VGS=0V，TA=25°C） * 闸源漏电流（IGSS）：100nA（VGS=12V，VDS=0V） * 漏极源导通电阻（RDS(on)）：140mΩ（VGS=2.5V，ID=0.7A） BSS214N 英飞凌 OptiMOS™ 2 小信号晶体管是一款高性能、低功耗、小尺寸的晶体管，适合于各种电子设备和系统的设计和应用。