BSS316N 英飞凌 infineon 电子元器件芯片.pdf

BSS316N 英飞凌 infineon 电子元器件芯片 本文将对 BSS316N 英飞凌 infineon 电子元器件芯片进行详细的知识点总结。 概述 BSS316N 是一款 OptiMOS™ 2 小信号晶体管，由英飞凌 Infineon 生产。该器件具有 N 通道、增强模式、逻辑电平（4.5V 评级）、雪崩电压等特点。 主要特点 * N 通道增强模式晶体管 * 逻辑电平（4.5V 评级） * 雪崩电压 * 100% 无铅、RoHS 符合 * 卫生级别：IEC 61249-2-21 * AEC Q101 认证 电气特性 * 连续 drain 电流：I DT = 1.4 A（T j=25 °C） * 脉冲 drain 电流：I D,pulse = 5.6 A（T A=25 °C） *雪崩能量，单脉冲：E AS = 3.7 mJ（I D=1.4 A, R GS=25 Ω） * 反向二极管 dv/dt：6 kV/µs（I D=1.4 A, V DS=16 V, di/dt = 200 A/µs, T j,max=150 °C） * 门源电压：V GS = ±20V * 功率耗散：P tot = 1.4 W（T A=25 °C） * 工作温度：T j = -55 ... 150 °C * 存储温度：T stg = -55 ... 150 °C 热特性 * 焊接温度：260 °C * 热阻：R thJA = 250 K/W（最小 footprint） 电气特性 * 静态特性： + 漏电压：V (BR)DSS = 30 V（V GS=0 V, I D=250 µA） + 门阈值电压：V GS(th) = 1.2 - 1.6 V（V DS=V GS, I D=3.7 µA） * 动态特性： + 输入电容：C iss = 7194 pF + 输出电容：C oss = 2635 pF + 反转传输电容：Crss = 57 pF + 开启延迟时间：t d(on) = 2.3 ns 包装信息 * 包装类型：SOT23 * Tape and Reel 信息：3000 pcs/ reel * 标记：H6327 * Lead Free：Yes * Non-dry：Yes