AIGB15N65H5 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

AIGB15N65H5 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片 AIGB15N65H5 是一款高速度开关系列的第五代 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，由英飞凌公司生产。该器件采用 TRENCHSTOP(TM) 5 技术，具有高效率、低损耗和高可靠性等特点。 特点和优势： * 高效率：AIGB15N65H5 采用高速度 H5 技术，提供了最佳的效率在 hard switching 和 resonant拓扑结构中。 * 插拔替换：该器件可以轻松地替换之前一代的 IGBT， 无需进行额外的设计和测试。 * 高压耐压：AIGB15N65H5 的 breakdown 电压为 650V，足以满足大多数应用的需求。 * 低阈值电荷：该器件的阈值电荷（QG）非常低，降低了开关损耗和电流 consumptio。 * 高工作温度：AIGB15N65H5 的最高工作温度为 175°C，适合高温应用环境。 * 动态应力测试：该器件已通过了动态应力测试，确保了其在恶劣环境中的可靠性。 * 合格认证：AIGB15N65H5 已经获得了 AEC-Q101 认证，确保了其在汽车电子领域中的应用。 * 环保包装：该器件采用环保包装，符合 RoHS 指令的要求。 应用领域： * Off-board 充电器 * On-board 充电器 * DC/DC Converter * Power-Factor 校正 封装定义： * Pin 1 - gate * Pin 2 & 背面 - 集电极 * Pin 3 - 发射极 性能参数： * VCEsat = 1.65V * IC = 15A * VCES = 650V * Tjmax = 175°C * Marking: AIGB15N65H5 * Package: PG-TO263-3 数据表目录： * 描述 * 最大 Ratings * 热阻抗 * 电气特性 * 电气特性图 * 封装定义 AIGB15N65H5 的高效率、低损耗和高可靠性使其适合于各种高频开关应用场景，如充电器、DC/DC Converter 和 Power-Factor 校正等。