AIKB50N65DF5 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的AIKB50N65DF5是一款基于TRENCHSTOP 5技术的高速切换第五代IGBT（绝缘栅双极晶体管），它与RAPID 1快速且软反并联二极管封装在一起。这款电子元器件芯片在高效能、高速切换和共振拓扑中表现出卓越的性能，特别适用于硬开关应用。 该器件的主要特点和优势包括： 1. **最佳效率**：在硬切换和谐振拓扑中提供同类最佳的效率。 2. **650V击穿电压**：设计为承受650V的工作电压，保证了在高电压环境下的稳定性。 3. **低门极电荷QG**：较低的门极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，提高了系统的整体效率。 4. **集成快速二极管**：与RAPID 1二极管封装在一起，可以实现快速和软的反向恢复特性，改善系统性能。 5. **最大结温175°C**：允许芯片在高温环境下工作，具有良好的热稳定性。 6. **动态压力测试**：经过严格的动态应力测试，确保其在实际应用中的可靠性。 7. **符合AEC-Q101标准**：满足汽车电子行业的质量要求，适合车载应用。 8. **环保包装**：符合RoHS标准的绿色包装，符合环保要求。 9. **完整的产品谱系和PSpice模型**：英飞凌提供了全面的产品规格和模拟工具，方便用户进行设计和验证。 AIKB50N65DF5的应用领域广泛，包括但不限于： 1. **离板充电器**：在电动汽车等场合用于电池充电。 2. **车载充电器**：为电动汽车内部的电池提供电力。 3. **DC/DC转换器**：在电源转换系统中实现电压等级的调整。 4. **功率因数校正**：提高电网输入功率的质量，降低谐波失真。 封装定义为： 1. **引脚1 - 门极**：控制IGBT的开关状态。 2. **引脚2及背面 - 集电极**：电流流入或流出的端口。 3. **引脚3 - 发射极**：电流流出的端口。 关键性能和封装参数： 1. **集电极-发射极饱和电压VCEsat(Tvj=25°C)**：在25°C时，饱和电压为1.6V，这是IGBT在开关状态下工作时的典型电压。 2. **最大结温Tvjmax**：允许的最大结温为175°C。 3. **标记**：AIKB50N65DF5标识该芯片型号。 4. **封装**：采用AK50EDF5PG-TO263-3封装，这是一种常见的表面贴装封装类型，适用于高功率应用。 在数据表中，还包括最大额定值、热阻、电气特性图表等内容，这些详细信息对于理解和评估器件在特定应用中的表现至关重要。设计者可以依据这些参数进行电路设计，确保器件在各种工作条件下都能正常、高效地运行。