IPDQ60R017S7 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf
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英飞凌的IPDQ60R017S7是一款基于CoolMOS S7技术的高压超级结(HV SJ)MOSFET芯片,专为低频开关应用设计。这款电子元器件拥有卓越的性价比,能显著提高能源效率。在600V的工作电压下,它提供业界最低的导通电阻(RDS(on)),仅为17毫欧,这在同类产品中是极为出色的。 IPDQ60R017S7的特性包括: 1. **小型化封装**:采用QDPAK(PG-HDSOP-22-1)封装,提供了最小的占用空间,同时优化了封装热性能。 2. **优化价格性能比**:在低频开关应用中,该芯片实现了最佳成本效益,减少了传导损耗,有助于减少或消除散热器的需求。 3. **高脉冲电流能力**:具备处理高瞬态电流的能力,适合于大电流应用。 4. **kelvin源引脚**:通过kelvin源引脚设计,提高了在高电流下切换时的性能。 5. **改进的热性能**:顶部冷却设计提升了散热效率,有利于设备的稳定运行。 使用IPDQ60R017S7的好处有: - **减小传导损耗**:由于其低RDS(on),能有效降低功耗,减少系统发热。 - **提升系统性能**:更高的效率意味着更优的系统性能和响应速度。 - **紧凑设计**:更小的封装尺寸使得电路设计更为简便和紧凑。 - **降低成本**:长期来看,较低的物料清单(BOM)成本和总体拥有成本(TCO)降低了生命周期内的维护费用。 - **对比传统电磁元件的优势**:更快的切换时间,更高的可靠性,更长的系统寿命,无冲击和振动问题,没有接触电弧、反弹或寿命期内的性能衰退。 此芯片适用于以下潜在应用: - **固态继电器和断路器**:在这些领域,IPDQ60R017S7的高速切换和长寿命特性特别有用。 - **高功率/高性能应用的线路整流**:如计算、电信、不间断电源(UPS)和太阳能系统。 产品已按照JEDEC工业应用标准进行全面验证。值得注意的是,源引脚和感测源引脚不互换,交换可能导致功能异常。在并联4引脚MOSFET设备时,通常建议将门极电阻放置在驱动源引脚而非门极上。 参数表中的关键性能参数包括最大导通电阻17毫欧,典型栅极电荷196纳库仑,反向雪崩电压0.82V,以及脉冲漏极电流491A。型号/IPDQ60R017S7的封装标记为PG-HDSOP-22,相关链接可参考附录A2。
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