光刻的原理与评价指标
光刻的原理与印相片相同,涂在硅片上的光刻胶相当于相纸,掩模相当于底
片。用特定波长的光照射光刻胶,光刻胶有感光性和抗蚀性即正负性两种类
型。正胶曝光部分在显影液中被溶解,没有曝光的胶层留下;负胶的曝光部
分在显影液中不溶解,而没有曝光的胶层却被溶解掉。经过显影,则显出光
刻图形。光学光刻是由投影光学系统和掩模版相结合来产生光刻图形的。曝
光方式普遍采用分布重复投影式曝光,即将一组图形重复上百次制作在一大
片硅片上。
评价光刻质量的指标主要有分辨率(单位长度上可分辨的高反差线对数)、
光刻精度(线宽尺寸控制及套刻精度)、产率和成品率等。影响光刻质量的
主要因素有曝光系统、曝光方式、光掩模、光刻胶和刻蚀方法等。
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