西电集成电路制造技术 光刻与刻蚀工艺PPT学习教案.pptx

西电集成电路制造技术-光刻与刻蚀工艺 一、光刻技术概述 光刻技术是集成电路制造技术中非常重要的一步，在这个步骤中，我们将使用光化学反应将光刻版（mask）上的图形转移到光刻胶上。光刻技术的三个要素是：光刻机、光刻版（掩膜版）和光刻胶。 二、光刻胶的作用 光刻胶是一种特殊的材料，它可以感应光照并将图形转移到硅片上。光刻胶有多种类型，包括负性光刻胶和正性光刻胶。在光刻过程中，光刻胶将图形转移到硅片上，并且可以控制图形的尺寸和形状。 三、光刻机的类型 光刻机是光刻技术中非常重要的设备之一。常见的光刻机类型有：接触型光刻机和步进型光刻机。接触型光刻机可以将图形直接转移到硅片上，而步进型光刻机则可以将图形转移到一个中间层上，然后再转移到硅片上。 四、掩膜版的作用 掩膜版（photomask）是一个非常重要的组件，它包含了要在硅片上重复生成的图形。掩膜版可以是石英版，也可以是其他材料。掩膜版的质量对光刻工艺的结果有着非常大的影响。 五、掩膜版的质量要求 掩膜版的质量要求非常高，因为它直接影响了光刻工艺的结果。如果每块掩膜版上的图形形成品率＝90%，那么6块光刻版，其管芯图形成品率＝（90%）6＝53%；10块光刻版，其管芯图形成品率＝（90%）10＝35%；15块光刻版，其管芯图形成品率＝（90%）15＝21%。 六、特征尺寸（关键尺寸） 特征尺寸是描述器件工艺技术的节点或某一代。例如，0.25μm以下工艺技术的节点是0.18μm、0.15μm、0.1μm等。 七、套准精度 套准精度是光刻工艺中非常重要的一步。光刻要求硅片表面上存在的图案与掩膜版上的图形准确对准，一般而言，器件结构允许的套刻误差为器件特征尺寸的三分之一左右。 八、Clean Room 的洁净等级 Clean Room 是一个非常重要的环境，它对光刻工艺的结果有着非常大的影响。Clean Room 的洁净等级可以分为多种，包括10万级、1万级、1000级、100级等。每种洁净等级都有其相应的要求和应用场景。 九、光刻工艺流程 光刻工艺流程主要包括以下步骤：涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶。光刻工艺流程可以分为两种基本类型：负性光刻和正性光刻。 十、光刻胶的种类 光刻胶有多种类型，包括负性光刻胶和正性光刻胶。负性光刻胶可以抗显影液之化学物质，而正性光刻胶则可以抗酸或抗碱。 十一、光刻技术的应用 光刻技术有着非常广泛的应用，包括集成电路制造、液晶显示屏制造、激光刻蚀等。随着技术的发展，光刻技术将继续发挥着越来越重要的作用。