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西安交通大学 微电子制造技术 刻蚀PPT学习教案.pptx
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西安交通大学 微电子制造技术 刻蚀PPT学习教案.pptx
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IC制造虚拟实训
会计学
1
西安交通大学
微电子制造技术
刻蚀
学 习 目 标
1.
了解
9
个主要的刻蚀参数;
2.
描述干法刻蚀的优点及基本原理;
3
.
列举一个介质、硅、金属干法刻蚀的实
际
例子;
4.
熟悉湿法刻蚀及其应用;
5
.
了解刻蚀检查以及相关的重要的质量测
量
方法。
第
1
页
/
共
57
页
刻蚀原理
刻
蚀
是
利
用
化
学
或
者
物
理
方
法
有
选
择
地
从
硅
片表
面去除不
需要
的材料
的过
程。刻
蚀的
基本
目标
是在
涂
胶的硅
片上
正确地
复制
掩膜图
形。
因此,
刻
蚀过
程
中光刻
胶层
起着有
效保
护下面
的膜
层不受
浸
蚀
的
作
用
。
图
16.1
是
常
规
C
OMS
栅
刻
蚀
工
艺
示
意
图。
光刻胶
被刻蚀材料
(a)
有光刻胶图形的衬底
(b)
刻蚀后的衬底
光刻胶
被保护层
Figu
re 16
.1
第
2
页
/
共
57
页
刻蚀工艺
刻蚀工艺的类型
湿法刻蚀
干法刻蚀
需要刻蚀的三种主要材料
硅
介质
金属
有图形的刻蚀和无图形的刻蚀
第
3
页
/
共
57
页
刻蚀参数
为
了
将
掩
膜
图
形
复
制
到
硅
片
表
面
的
材
料
上
,
刻
蚀必须满足一些特殊的要求,包括以下刻蚀参数。
刻蚀速率
刻蚀剖面
刻蚀偏差
选择比
均匀性
残留物
聚合物
等离子体诱导
损伤
颗粒沾污和缺
陷
第
4
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