TI1-TMS28F008AET.pdf

本文档介绍的是TI公司的TMS28F008AET芯片，这是一款高性能、低功耗的闪存存储器。该芯片具有多种组织结构，包括1048576位（1MB）的8位宽组织、524288位（512KB）的16位宽组织等，适用于不同的数据存储需求。 阵列分块架构是TMS28F008AET的一个显著特点，它包括两个8K字节/4K字的参数块，一个96K字节/48K字的主要块，以及七个128K字节/64K字的主要块。此外，还有一个16K字节/8K字的受保护启动块，用于安全存储启动代码。启动块可以在顶部或底部位置，增强了系统的灵活性和安全性。 该芯片的所有输入/输出都兼容TTL标准，确保了与现有系统良好的互操作性。在不同电源电压配置下，TMS28F008AET提供了快速的访问时间和最小周期时间。例如，在5V VCC供电时，访问时间为70ns，最小周期时间为100ns；而在3V VCC供电时，访问时间为80ns，最小周期时间为120ns。具体的电压配置可参考表1。 TMS28F008AET支持100000次和10000次的编程/擦除周期版本，适用于高耐久性的应用。它还具备三个温度工作范围：商业级0°C至70°C，扩展级-40°C至85°C，以及汽车级-40°C至125°C，满足不同环境条件下的使用要求。 嵌入式编程/擦除算法使得该芯片能够自动执行字节编程、字编程和块擦除，同时支持擦除暂停/恢复功能，提高了编程效率和灵活性。此外，TMS28F008AET还包括自动节能模式，进一步降低了待机和深度休眠模式下的功率损耗。 该芯片遵循JEDEC标准，与JEDEC的字节/字引脚布局和EEPROM命令集兼容，简化了设计集成。TMS28F008AET提供多种封装选项，如44引脚塑料小外形封装（PSOP，DBJ后缀）、40引脚薄小外形封装（TSOP，DCD后缀）、48引脚TSOP和48球微球栅格阵列（µBGA）封装，适应不同应用场景的需求。 在功耗方面，TMS28F008AET表现出色。在5.5V的VCC供电下，主动写入（字节写入）功率为330mW，主动读取（字节读取）功率为220mW，主动写入（字写入）功率同样是330mW，主动读取（字读取）功率为275mW。块擦除功率为330mW，待机状态下功率仅为0.55mW（CMOS输入电平），而深度休眠模式下功率仅0.044mW。 为了保护启动块，TMS28F008AET还集成了写保护功能。其采用工业标准的命令状态机（CSM），支持擦除暂停/恢复和算法选择标识，增强了系统管理和数据安全。 TMS28F008AET是一款适用于各种嵌入式系统的高性能闪存，具备灵活的组织结构、高效的编程/擦除算法、低功耗特性和全面的保护机制，适用于需要可靠数据存储的商业、扩展和汽车级应用。