磁控溅射法La0.5Ca0.5MnxTi1-xO3薄膜的制备与结构研究 (2005年)

利用射频磁控溅射法结合后期热处理，在Si（100）；基板上以不同的工艺条件成功制备了La0.5Ca0.5MnxTi1-xO3（LCMTO）复铁电性磁电子薄膜。通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、电子衍射能谱（EDS）等手段对薄膜进行了相的形成、结构特性及薄膜组成等的测试。研究表明，薄膜在600C以上开始析晶，850C以上结晶完成，形成正交晶系钙钛矿相。硅基板上的LCMTO薄膜在不同温度下析出晶相的晶格常数不同，温度越高，晶相的晶格常数越大；薄膜厚度越大，晶格常数相对较小；在薄膜制备时提高氧分