安森美半导体ESD保护器件NUP4012PXV6-D 数据手册.pdf

安森美半导体的NUP4012PXV6-D是一款四通道瞬态电压抑制器阵列，专门设计用来为需要极低电容以应对静电放电（ESD）和瞬态电压事件的电压敏感组件提供保护。该器件采用共阳极设计，能够在单个SOT-563低轮廓封装内保护四条独立的数据线路。其卓越的钳位能力、低电容、低漏电流以及快速响应时间使其非常适合在电路板空间受限的ESD保护设计中使用。此外，由于其低电容特性，该器件也非常适合在高频设计中使用。 NUP4012PXV6-D的特点包括： - 极低的电容（典型值为0.7pF） - 可保护多达四条数据线路 - SOT-563封装尺寸为1.6mm x 1.6mm - 超低的轮廓高度为0.55mm，适合于纤薄设计 - D1、D2、D3和D4引脚的最小保护电压为5.2V - ESD评级符合IEC61000-4-2标准，等级为4级 - 该器件为无铅产品 典型应用场景包含： - USB 2.0高速接口 - 手机 - MP3播放器 - SIM卡保护 最大额定值（结温为25°C时，除非另有说明）包括： - 工作结温范围为-40°C至+125°C - 存储温度范围为-55°C至+150°C - 焊接温度最大值（10秒内）为260°C 电气特性（TA=25°C，除非另有说明）包括： - ESD耐受性：IEC61000-4-2接触放电为8000V - 超过最大额定值的应力可能会损坏器件 - 最大额定值仅为应力等级，超过推荐操作条件的功能运行不被暗示 - 长时间暴露于推荐操作条件之上的应力可能会影响器件可靠性 该器件的订购信息为： - 器件封装为SOT-563（无铅） - 运输数量为3000个/卷带和卷轴 在订购时，可参考安森美半导体提供的相关产品说明文档，例如Tape and Reel Packaging Specification Brochure (BRD8011/D)及应用笔记AND8308/D，这些资料详细描述了有关生存性规格的信息。 关于NUP4012PXV6-D的封装细节，CASE463A为SOT-563封装类型，其标记图包括器件代码、日期代码，以及无铅封装的标识（注：微点可能位于任一位置）。 在参考资料中，我们还能找到关于安森美半导体组件工业公司发布的信息，包括产品发布日期和修订信息，以及相应的发布订单号NUP4012PXV6/D，这些信息有助于我们追溯产品的历史背景和版本变化。 通过以上信息，我们可以得出NUP4012PXV6-D是一款专为数据线路设计的ESD保护器件，其小巧的封装以及超低电容的特性使得它非常适合用于需要ESD保护且对电路板空间要求较高的电子设备。同时，高ESD耐受等级和符合行业标准的性能表现确保了其在各种电子设备中的可靠性。