英飞凌科技股份公司近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，可使功率密度增大50%，特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。
举例来说，这种采用SuperSO8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与D2-Pak封装相同的通态电阻。
“该无铅结构封装具备较低的封装寄生电阻和电感，最大程度降低了对整个器件性能的影响，便于充分利用OptiMOS
